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全部话题 - 话题: 4nm
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S*******h
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【 以下文字转载自 USANews 讨论区 】
发信人: Scania88 (Scania88), 信区: USANews
标 题: 三星将投资十亿美元建新工厂 2020年或生产4nm处理器
发信站: BBS 未名空间站 (Wed Jun 28 14:59:50 2017, 美东)
腾讯科技讯 据外媒报道,早在1997年,三星就在美国德克萨斯州奥斯汀市投资创办了
半导体生产工厂,而这家工厂随后也成为了全世界最先进的芯片工厂,一直为苹果这样
的大客户以及三星公司自己生产最新一代的芯片。而现在,韩国电子巨头又承诺在德州
投资10亿美元到16亿美元建设另一家半导体工厂。
继“第三次工业革命”之后,现在已经进入到了“第四次工业革命”时代,引领著我们
走进物联网的世界,而三星将为此做好充足的准备。因此三星在奥斯汀市的芯片工厂就
一直都是全球各地芯片厂商的最佳合作伙伴,包括为智能和联网设备提供更快、更高效
的芯片等业务。之前有传闻称三星将在明年的旗舰智能手机Galaxy S9上使用8nm甚至
7nm工艺的处理器,就像去年14nm/16nm同样是当时世界上最先进的生产工艺一样。
而在今年以Gala... 阅读全帖
S******8
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腾讯科技讯 据外媒报道,早在1997年,三星就在美国德克萨斯州奥斯汀市投资创办了
半导体生产工厂,而这家工厂随后也成为了全世界最先进的芯片工厂,一直为苹果这样
的大客户以及三星公司自己生产最新一代的芯片。而现在,韩国电子巨头又承诺在德州
投资10亿美元到16亿美元建设另一家半导体工厂。
继“第三次工业革命”之后,现在已经进入到了“第四次工业革命”时代,引领着我们
走进物联网的世界,而三星将为此做好充足的准备。因此三星在奥斯汀市的芯片工厂就
一直都是全球各地芯片厂商的最佳合作伙伴,包括为智能和联网设备提供更快、更高效
的芯片等业务。之前有传闻称三星将在明年的旗舰智能手机Galaxy S9上使用8nm甚至
7nm工艺的处理器,就像去年14nm/16nm同样是当时世界上最先进的生产工艺一样。
而在今年以Galaxy S8为代表的智能手机上,我们看到了使用10nm工艺制造的骁龙和
Exynos处理器,而到了明年,三星将把芯片制造工艺提高到7nm,到了2020年甚至会开
始生产4nm工艺的处理器。不过目前来看,三星想要完成这个计划具有相当的难度,因
为一旦生产工艺进化到5nm之后,良品率会变得非... 阅读全帖
a**e
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3
4nm?
吹去吧,说不定能把三胖吹死呢?

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来自主题: Military版 - 去年4月试产,今年6月量产
TSMC:7nm高性能芯片6月流片,2019年试产5nm工艺
三星今天宣布了未来三年的半导体制造工艺路线图,将推出8nm、7nm、6nm、5nm及4nm
工艺,其中2020年的4nm工艺将是一个重大技术突破,将会采用全新的Multi Bridge
Channel FET结构(简称MBCFET,多沟道场效应管)解决现有FinFET晶体管的缺陷。无
独有偶,三星的老对手TSMC今天也召开了年度技术大会,虽然没有宣布三星4nm那样的
技术突破,不过TSMC表示10nm已经开始量产,7nm明年就能量产,5nm则会在2019年风险
试产。
TSMC公司联席CEO魏哲家在会议上提到他们已经累计服务了450多家代工伙伴,涉及移动
运算、高性能计算、自动驾驶及IoT物联网等领域,平均算下来每周新增一家客户。
在半导体制程工艺上,TSMC表示移动领域的10nm工艺已经量产,7nm已经有12个客户流
片,预计2018年量产,5nm则会在2019年风险试产。
高性能部分,7nm芯片在6月份会有流片——TSMC的高性能客户不多(相对移动、低功耗
产品来说),NVIDIA还有之前的AMD都算是高性能芯片用户,目... 阅读全帖
w*********g
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5
嫦娥三号计划2013年发射,实现着陆器月面软着陆
来源: ccvip_usa 于 2011-12-10 08:13:59 [档案] [博客] 旧帖] [转至博客] [给我
悄悄话] 本文已被阅读:97次 字体:调大/调小/重置 | 加入书签 | 打印 | 所有跟帖
| 加跟贴 | 查看当前最热讨论主题 科学时报北京12月8日讯(记者张巧玲)在今天举
行的2011“北京银河论坛”上,中国探月工程领导小组高级顾问、中国科学院院士欧阳
自远详细介绍了嫦娥工程的后续发展情况。
据欧阳自远介绍,即将于2013年左右发射的嫦娥三号探测器有三大亮点。嫦娥三号由着
陆器和月球车组成,在月球表面软着陆后,联合开展着陆器的就位探测和月球车的巡视
探测。在嫦娥三号配置的多种科学探测仪器中,有三台仪器都将实现国际上首次科学探
测。
一是在着陆器的顶部安装了一台近紫外光学望远镜,将实现国际上首次利用月基光学望
远镜开展重要天体光变的长期连续监测和低银道带的巡天观测。主要监测致密双星、活
动星系核、短周期脉动变星等。
二是在着陆器的顶部安装了一台极紫外相机,将对地球周围的等离子体层产生的30.4nm
辐射进行全方... 阅读全帖
e**********4
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纳米大脑黑客,分子电子学应用脑控
2013-07-15 14:56:02| 分类: 大脑感觉神经机制 | 标签:大脑控制 脑计划 思
维破译 纳米神经假体装置 大脑黑客 |举报|字号 订阅
1995年9月27日至10月1日由美国出资的戈尔巴乔夫基金会,邀集当今世界的500名最重
要的政治家、经济界领袖和科学家,其中包括乔?布什(当时他还不是美国总统)、撒
切尔夫人、布莱尔、布热津斯基以及索罗兹、比尔盖茨、未来学家奈斯比特等大名鼎鼎
的全球热点人物,在旧金山费尔蒙特饭店举行高层圆桌会议。讨论关于全球化以及如何
引导人类走向21世纪的问题。这个会议认为,人类历史上一个崭新的时代业已到来。这
个时代将是非工业文明的时代。工业时代与它的大规模福利(社会保障)制度一起,已
成为经济史的短暂瞬间即将不复存在,他们产生一个方案,就是逐步设法用"高技术"手
段消灭80%他们认为的垃圾人口而留下20%的人类精英,或者采用"高技术"手段使那些垃
圾人口部分变成这些精英的活体试验品!
请看下面一段对话:
您好!
请问*先生,你具体是干什么工作的?或者你在负责什么项目呢?
我们初步认为:如果... 阅读全帖
m******g
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7
ALMOST IMPOSSIBLE.
INTEL IS THE GOD OF FABRICATION.
- "What's the best technology for 10nm node/ 7nm node/ 4nm node?"
- "Whatever Intel does."
m******g
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ALMOST IMPOSSIBLE.
INTEL IS THE GOD OF FABRICATION.
- "What's the best technology for 10nm node/ 7nm node/ 4nm node?"
- "Whatever Intel does."
t*******c
发帖数: 306
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来自主题: Military版 - ASML为啥决定卖EUV了?
以后1.4nm ,0.7nm
m********5
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来自主题: Military版 - 去年4月试产,今年6月量产
7nm以下基本很难了,4nm学术界都很少用光刻鸟,如果是我投资的话,我就赌非硅片基
,非金属工艺。

,
c*********d
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11
2018/07/18
16:51
图说军事
企鹅号
7月15日,据DIGITIMES的跟踪报道,我国合肥长鑫的12英寸存储器制造基地已经基
本建设到位,预计将在今年下半年开始进行全面预生产,这是我国在半导体芯片产业发
展历程上的一个重要标志性,众所周知,存储器(典型产品就是手机里的内存)不仅是
我国进口集成电路的大头,而且在全球半导体市场占有举足轻重的地位,目前存储器在
全球半导体市场上的总产值大约为800亿美元,在世界半导体芯片市场中占24%左右的市
场份额,仅次于CPU、GPU等等逻辑电路的比重,也是我国进口最多的芯片之一,更是日
本、韩国崛起为世界半导体大国的重要路径之一,我们以韩国为例子,该国三星电子和
SK海力士两家组合起来的年产值相当于世界第一半导体大国的55%左右,而韩国这两个
巨型半导体企业的主要产品就是存储器,可以说我们选择了一条在半导体行业比较容易
成功的道路。
近年来,以紫光集团、武汉新芯、合肥长鑫等一批企业正在加快发展,2020年,长
鑫存储将实现每月10万片内存的生产,快速追赶日韩企业,此外总投资240亿美元的武
汉国家存储器基地项目将在2020年左右开工,应... 阅读全帖
t******e
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半导体设备分了大致7个种类,刻蚀是其中之一,可刻蚀又分了3类:硅刻蚀,金属刻蚀
和介质刻蚀。 中微搞得是介质刻蚀这一种, 不知道的人还以为中微包打天下呢,
again, 又是典型的overstatement.
还有什么全球首条5nm生产线! NM, 为了吹自己,把台积电也吹上了,厂房今年初才动
工,到明天上半年才开始试产,后年量产, 连试产都还没有开始,谈何生产线。
另外EUV5nm, 三星也不输给台积电, 根据它的roadmap,5/4nm线也是和台积电同时期,
也是明年试产后年量产。
f***y
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https://news.mydrivers.com/1/661/661427.htm
目前全球最先进的半导体工艺已经进入7nm,下一步还要进入5nm、3nm节点,制造难度
越来越大,其中晶体管结构的限制至关重要,未来的工艺需要新型晶体管。来自中科院
的消息称,中国科学家研发了一种新型垂直纳米环栅晶体管,它被视为2nm及以下工艺
的主要技术候选,意义重大。
从Intel首发22nm FinFET工艺之后,全球主要的半导体厂商在22/16/14nm节点开始启用
FinFET鳍式晶体管,一直用到现在的7nm,未来5nm、4nm等节点也会使用FinFET晶体管
,但3nm及之后的节点就要变了,三星在去年率先宣布3nm节点改用GAA环绕栅极晶体管。
根据官方所说,基于全新的GAA晶体管结构,三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET
(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性
能,主要取代FinFET晶体管技术。
此外,MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备,从而加速工艺开发及
生产。
前不久三星还公布了3nm工... 阅读全帖
f***y
发帖数: 4447
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https://zhuanlan.zhihu.com/p/104986862
传中芯10nm和7nm工艺取得不小突破,台积电是中芯最直接对手
我为科技狂
我为科技狂
放眼全球,追踪、探讨科技圈热门话题。
11 人赞同了该文章
中芯国际,作为中国内地第一大本土芯片代工商,在2018年的时候即对外宣布了14nm
FinFET制程工艺的研发获得成功。接着到今年初,中芯果然不负业界期望,中国内地第
一条14nm工艺产线,中芯南方已经在量产14nm芯片。中芯通过自主研发高端制程工艺,
从28nm到14nm如此之大的跨越,既缩小了与主流大厂的差距,又可说是中国半导体产业
发展史上的一个奇迹。
从中芯国际官网上所公布的信息可知,中芯南方厂其实在2019年第三季度便已成功量产
第一代14nm FinFET工艺。而在按照规划达产后,中芯南方厂将建成两条月产能均为3.5
万片的产线。
到2019年底,中芯14nm工艺的产能为每月3000到5000片晶圆。2020年,中芯14nm产能会
大幅增长,到2020年底每月产出15000片晶圆。
据报道,中芯14nm FinFET工艺研发不断向前推进:第一代14nm... 阅读全帖

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来自主题: Military2版 - 台积电,三星及其半导体产业链
这次台湾大面积断电,民众生活的各种囧状大家都谈论得比较多了,比如:数千人被关
在电梯中,花莲市街上红绿灯一度熄灭,很多报警设施的红灯都亮不起来了,医院手术
室出事故。。。。。。
但是。。。。。。台湾的半导体产业链却没有什么大碍:
行政院科技部下属的三大科学园区:竹科(新竹科学园)、中科(台中科学园)、南科
(台南科学园)都没有出现大面积的跳电,8月15日当晚,台湾残存的电力给三大科学
园区的台湾 半导体Fab进行轮流供电。
掌控全球先进芯片制造的半导体三巨头(Intel、三星、台积电)之一的台积电 几乎毫
发无伤。
全球主要晶圆材料制造商——环球晶圆(不是global foundries,别搞混了,台湾环球
晶圆是芯片上游晶圆材料重要制造商)也无大碍。
全球芯片封装测试巨头——日月光集团 仅有南科的部分园区出现了60分钟停电,设备
很快恢复。
唯独芯片封装测试厂商南茂科技位于南科园区的工厂有一点损失。
以目前台湾烂尾的分布式发电政策方案(议案连立法院一审都没过),台湾动辄产能5
万片的12寸半导体Fab凭借自己的备用UPS在停电时根本支撑不了多久。
也就是说,与多数国家/地区不同,台湾... 阅读全帖
s******s
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16
7nm/4nm没有本质差距, 关键是10nm以下。军版小将上周大了一周的鸡血, 说的是
14nm?
n****g
发帖数: 14743

发帖数: 1
18
现在10nm都不稳定。
h***i
发帖数: 89031
19
来自主题: WorldNews版 - euv你做软x反射镜么?
你知道现在对mo的2nm-4nm的单层有什么测量手段?
s*****0
发帖数: 244
20
来自主题: Faculty版 - 求合作STM 超分子
请问版上有没有做STM的大牛。我现在自己组里有很多尺寸在4nm以上的超分子 (单一
结构),最大的会超过10nm.并且我们其他数据, NMR,MS都非常好。 还有我做的超分
子是metallosupramolecules,用比较强的金属配合而成。稀释以后,都能保持完整性。
所以非常想找个STM组,以后能长期合作的。请站内联系。
谢谢
c******t
发帖数: 1733
21
来自主题: Fitness版 - 也说有氧,无氧
OBLA的值很乱的,但很多人采用4nM
y***e
发帖数: 15
22
来自主题: SJTU版 - fw:作个校徽瞧瞧
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N NNNMMN; #MMMMM8
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'N NNHHHSNH$$#SANHHHHNU M MN
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n********e
发帖数: 1630
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红色是仪器公司提供的label好的蛋白,蓝色是我自己label的蛋白。每次都是3-4nm,
有一次到了7nm,结果重新label了一批,又回到原来了。 另外我不希望用NaCl在我的
buffer里,这样会促进蛋白的oligomerization. 但是当我加了50mM NaCl之后,信号能
多个2-3 nm。。。 如果真的能达到10, 我也不需要加NaCl 追求13了。

hours
d********g
发帖数: 3195
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来自主题: Chemistry版 - 想购买微孔介质的材料
请问有人了解微孔介质材料的供应商信息吗?
现在想购买一些微孔介质材料,之前联系一家德国公司买,但是他们出了问题,短期内
没法供货。
主要的需求是4nm以下的孔径均匀的微孔,宏观上最好是薄膜或者板材,不考虑粉末形
态的。另外,不考虑zeolite材料,因为需要的是那种孔隙流路不是很复杂的那种,之
前使用过硅铝复合膜,现在想换种新的。
请了解的朋友不吝赐教。
感谢。
l*******g
发帖数: 82
25
来自主题: Macromolecules版 - 请教:一个PEG结构单元大概多少纳米?
0.3-0.4nm吧
d********g
发帖数: 3195
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来自主题: NanoST版 - 想购买微孔介质的材料
请问有人了解微孔介质材料的供应商信息吗?
现在想购买一些微孔介质材料,之前联系一家德国公司买,但是他们出了问题,短期内
没法供货。
主要的需求是4nm以下的孔径均匀的微孔,宏观上最好是薄膜或者板材,不考虑粉末形
态的。另外,不考虑zeolite材料,因为需要的是那种孔隙流路不是很复杂的那种,之
前使用过硅铝复合膜,现在想换种新的。
请了解的朋友不吝赐教。
感谢。
C********g
发帖数: 211
27
来自主题: NanoST版 - 想购买微孔介质的材料
commercial的有Anode Aluminia Membrane,孔不小于13nm.孔垂直于Membrane,
Membrane大概50um厚。
他们可能可以做到<4nm, 不过应该很贵。如果Anode Aluminia Membrane是你需要的,
我可以给你公司信息。
另外我可以在conductive substrate上作一层多孔silica,孔大概 2.9nm. 不过
substrate需要非常平。
J*******3
发帖数: 1651
28
太阳能转换效率研究回顾分析与未来展望
导读:
我国太阳能光电化学转换的研究以实现低价高效利用太阳能为目标,二十年来在不同材
料体系中研究了上百种材料,大大促进了光电转换材料特别是多晶、薄膜半导体及新一
代纳米结构半导体和有机/半导体复合材料的发展。
引言
进入二十世纪以来,人类的工业文明得以迅猛发展,由此引发的能源危机和环境污
染成为急待解决的严重问题,利用和转换太阳能是解决世界范围内的能源危机和环境问
题的一条重要途径。世界上第一个认识到光电化学转换太阳能为电能可能实现的是
Becquere1,他在1839年发现涂布了卤化银颗粒的金属电极在电解液中产生了光电流,
以后Brattain、Garrett及Gerisher等人先后提出和建立了一系列有关光电化学能量转
换的基本概念和理论,开辟了光电化学研究的新领域。1972年Honda和Fujishima应用n-
TiO2电极成功的进行太阳能光分解水制氢,使人们认识到光电化学转换太阳能为电能和
化学能的应用前景。从此,以利用太阳能为背景的光电化学转换成为一个非常活跃的科
学研究前沿。光电化学太阳电池的一个突出的特点是材料制备工艺简单,即使应... 阅读全帖
s*k
发帖数: 144
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排骨, 以下是对您以上的关于DNA拓扑异构酶文章背景知识的一点补充.
对于DNA,当其处于正常生理溶液环境时,每隔10对碱基即大约3.4nm
DNA分子旋转一周(这是1953 Watson and Crick最重要的发现,即DNA的双螺旋).
多于此(每少于10对碱基即互旋360度)的在生理溶液环境下的DNA称之为超螺旋
(supercoil), 少于此的叫欠螺旋,两者在生理溶液中均具有张力(物理里是不是称
其为具有较高自由能?), 对于此,DNA拓扑异构酶使其回复到张力较低的状态是不
需要外能的, 即不消耗ATP, 而DNA拓扑异构酶使DNA达到高张力的状态是需要
外能的(消耗ATP).
在一般生物体中的DNA是处于超螺旋状态,它使DNA两条链缠得更紧, 而在DNA复制或
转录的时候,DNA拓扑异构酶使其解螺旋到常态或欠螺旋状态.
一般从生物里提取的genome DNA是处于常态,但病毒或质粒的DNA常是超螺旋态.
以上讨论均指B型DNA,另外还有A型和Z型DNA,三链DNA,这些是DNA分子在不同
溶液环境下的自然状态,螺旋数与B型不一样.
有两本书值得推荐:
Cantor, C.
y****i
发帖数: 29
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来自主题: Science版 - Re: Help! Sunlight radiance?

S0=1370W/m2 is before entering the atmosphere. Energy in 4nm
BW @ 550nm will be 0.11% of total energy. (assume 5800K
blackbody radiation). Then 1370*0.11%=1.5W/m2. Physics, you
can assume some reasonable number for reflection and
absorption coefficient for the atomosphere, and include
solar zenith angel for different time, then you will have an
answer.
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