N****r
发帖数: 507 | 1 【 以下文字转载自 Physics 讨论区 】
发信人: NJStar (No12boy), 信区: Physics
标 题: 电磁学的一个问题请教
发信站: BBS 未名空间站 (Tue Jul 1 12:32:11 2008)
电磁场在良导体（非理想导体）表面能量损耗是由于其电场的切向分量造成的电流，磁
场切向分量造成的电流 两个电流的热效应， 那电场法向分量在导体表面会造成能量损
耗么？按理说好像 法向分量会造成法向的传导电流，也应该产生焦耳热么？又该如何
计算呢？
多谢 |
r*******i
发帖数: 145 | 2 据我所知，切向分量的电场在进入导体之前由于边界条件的限制，会衰减的很小，并且
连续，而法向分量的电场会由于高斯定律产生自由电荷。其实，计算热损耗很简单，对
于导体厚度大于skin depth的，直接计算入射电场的能量，因为这些会全部衰减并转化
为热能。可能当中有不正确之处，还请见谅。 |
c*******l
发帖数: 4801 | 3 虽然忘的差不多了，但是你说的这些应该都对。牛！
【在 r*******i 的大作中提到】
: 据我所知，切向分量的电场在进入导体之前由于边界条件的限制，会衰减的很小，并且
: 连续，而法向分量的电场会由于高斯定律产生自由电荷。其实，计算热损耗很简单，对
: 于导体厚度大于skin depth的，直接计算入射电场的能量，因为这些会全部衰减并转化
: 为热能。可能当中有不正确之处，还请见谅。
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le
发帖数: 190 | 4 入射电场的能量会大部分反射回来，不会全部转化为热能。
法向分量的电场是沿着导体传播的，是平行的，所以没有能量损耗。切向分量的电场是
射进导体的，一部分会被发射回来，能量损耗可以用surface resistance的概念来计算
。
【在 r*******i 的大作中提到】
: 据我所知，切向分量的电场在进入导体之前由于边界条件的限制，会衰减的很小，并且
: 连续，而法向分量的电场会由于高斯定律产生自由电荷。其实，计算热损耗很简单，对
: 于导体厚度大于skin depth的，直接计算入射电场的能量，因为这些会全部衰减并转化
: 为热能。可能当中有不正确之处，还请见谅。
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s****y
发帖数: 104 | 5 直接用表面阻抗计算就行了。如果采用理想导体模型，就用表面切向磁场计算出表面电
流，然后直接用这个电流和表面阻抗计算热损耗就行了，如果不想用表面阻抗计算，可
以直接用在导体表面内部的衰减切向电场产生的传导电流计算热损耗，这个需要积分。
两种方法计算的结果是一致的。 |
