b*******f
发帖数: 428 | 1 就Analog/RFIC的实力而言,下面的排名请大牛们给点意见,我根据印象随便排的
Caltech > UCSB > UCLA > UCSD > USC > UCD
感谢!!
UCSC不清楚 |
a******t
发帖数: 75 | 2 Caltech 主要做CMOS PA,老师不多。
ＵＣＳＢ更偏向于ＣＡＤ和传统微波。
ＵＣＬＡ老师有几个，又作ＲＦ也有做ａｎａｌｏｇ方面
ＵＣＳＤ偏向于ＰＡ
ＵＳＤ主要是ａｎａｌｏｇ方面
个人印象。
【在 b*******f 的大作中提到】
: 就Analog/RFIC的实力而言,下面的排名请大牛们给点意见,我根据印象随便排的
: Caltech > UCSB > UCLA > UCSD > USC > UCD
: 感谢!!
: UCSC不清楚
|
c****p
发帖数: 6474 | 3 TAMU的ANALOG不错，给我们学校做个广告
【在 b*******f 的大作中提到】
: 就Analog/RFIC的实力而言,下面的排名请大牛们给点意见,我根据印象随便排的
: Caltech > UCSB > UCLA > UCSD > USC > UCD
: 感谢!!
: UCSC不清楚
|
f********o
发帖数: 2181 | 4 明显UCLA名气大啊
不过现在abidi走了
【在 b*******f 的大作中提到】
: 就Analog/RFIC的实力而言,下面的排名请大牛们给点意见,我根据印象随便排的
: Caltech > UCSB > UCLA > UCSD > USC > UCD
: 感谢!!
: UCSC不清楚
|
T******n
发帖数: 3180 | 5 哈吉米利不是在caltech吗？
他PA?
【在 a******t 的大作中提到】
: Caltech 主要做CMOS PA,老师不多。
: ＵＣＳＢ更偏向于ＣＡＤ和传统微波。
: ＵＣＬＡ老师有几个，又作ＲＦ也有做ａｎａｌｏｇ方面
: ＵＣＳＤ偏向于ＰＡ
: ＵＳＤ主要是ａｎａｌｏｇ方面
: 个人印象。
|
a******t
发帖数: 75 | 6 他最近几年一直在做ＧＳＭ ＣＭＯＳ ＰＡ．
３年前我找过做的时候还去他公司谈过，现在据说已经做出来了，号称ｐｅｒｆｏｒｍ
ａｎｃｅ很不错。
【在 T******n 的大作中提到】
: 哈吉米利不是在caltech吗？
: 他PA?
|
b*******f
发帖数: 428 | |
r******s
发帖数: 8 | 8 http://www.axiom-micro.com/
是上面这家公司么？看性能CMOS PA除了效率差点，其他都不差
【在 a******t 的大作中提到】
: 他最近几年一直在做ＧＳＭ ＣＭＯＳ ＰＡ．
: ３年前我找过做的时候还去他公司谈过，现在据说已经做出来了，号称ｐｅｒｆｏｒｍ
: ａｎｃｅ很不错。
|
a******t
发帖数: 75 | 9 现在CMOS PA设计是个趋势。
更aggressive的是和SoC集成，利用copper metal来做high Q的inductor减少loss.
在WLAN领域，现在有几家公司已经把PA集成到SoC里面，效率只比GaAs PA低20%-30%。
【在 r******s 的大作中提到】
: http://www.axiom-micro.com/
: 是上面这家公司么？看性能CMOS PA除了效率差点，其他都不差
|
S********5
发帖数: 1058 | 10 没有学过CMOS设计，但是有相关集成电路设计理论基础，比如变分，谱域法，模式匹配
等等，有没有可能申到UC系列的PhD... |
|
|
a******t
发帖数: 75 | 11 你所提的倒那些方法,在RFIC设计中很少用到，更偏向于传统的波导或者平面印刷电路。
我所知道的UC一些RFIC的老师一般要求学生有相应的经验。如果你有相应工作经验，可
能会好很多。
【在 S********5 的大作中提到】
: 没有学过CMOS设计，但是有相关集成电路设计理论基础，比如变分，谱域法，模式匹配
: 等等，有没有可能申到UC系列的PhD...
|
S********5
发帖数: 1058 | 12 谢谢你的回复，我就是没有这方面的经验，以前做的是关于系统级的电路，但是好像现
在做系统级电路的老师比较少，所以想转作MMIC的...
路。
【在 a******t 的大作中提到】
: 你所提的倒那些方法,在RFIC设计中很少用到，更偏向于传统的波导或者平面印刷电路。
: 我所知道的UC一些RFIC的老师一般要求学生有相应的经验。如果你有相应工作经验，可
: 能会好很多。
|
a******t
发帖数: 75 | 13 直接申请牛校的MMIC， PhD, 如果没有相应经验，有一定难度（当然也不是不可能:))
如果你不care奖学金，可以先申请个admission，可能会容易一些。
系统级的电路是指什么方面？ digital?
【在 S********5 的大作中提到】
: 谢谢你的回复，我就是没有这方面的经验，以前做的是关于系统级的电路，但是好像现
: 在做系统级电路的老师比较少，所以想转作MMIC的...
:
: 路。
|
S********5
发帖数: 1058 | 14 如果申非牛校的情况会怎样，UC的可以考虑不去
我不想去做计算电磁学，也没有天线方面的基础，想来想去好像就只能做MMIC了
系统级的就是象放大器，频率源，锁相之类...
我还是会care奖学金的，哪怕是小奖，据说UC系列的学费都超贵...
【在 a******t 的大作中提到】
: 直接申请牛校的MMIC， PhD, 如果没有相应经验，有一定难度（当然也不是不可能:))
: 如果你不care奖学金，可以先申请个admission，可能会容易一些。
: 系统级的电路是指什么方面？ digital?
|
a******t
发帖数: 75 | 15 你所提到的PLL之类的电路，才是RFIC工业界或者学术界关注的东西。在UC系统里，这
类属于“integrated circuits and systems"这个专业。
MMIC是更偏向于微波电磁波专业。这两个专业还是很不同的，前者更注重于应用方面。
如果你更偏向于前者，为什么不直接申请“integrated circuits and systems".出来
找工作比MMIC容易多了， MMIC偏军方应用，中国人很难进那些公司。
【在 S********5 的大作中提到】
: 如果申非牛校的情况会怎样，UC的可以考虑不去
: 我不想去做计算电磁学，也没有天线方面的基础，想来想去好像就只能做MMIC了
: 系统级的就是象放大器，频率源，锁相之类...
: 我还是会care奖学金的，哪怕是小奖，据说UC系列的学费都超贵...
|
S********5
发帖数: 1058 | 16 我做PLL是应用现成的芯片而不是自己研究PLL的结构，所以不是集成电路方向
我学的东西主要是在微波方面，涉及到MMIC的少，但是想转到MMIC这块
【在 a******t 的大作中提到】
: 你所提到的PLL之类的电路，才是RFIC工业界或者学术界关注的东西。在UC系统里，这
: 类属于“integrated circuits and systems"这个专业。
: MMIC是更偏向于微波电磁波专业。这两个专业还是很不同的，前者更注重于应用方面。
: 如果你更偏向于前者，为什么不直接申请“integrated circuits and systems".出来
: 找工作比MMIC容易多了， MMIC偏军方应用，中国人很难进那些公司。
|
p*****t
发帖数: 966 | 17 呵呵 20-30%的效率差还是很吓人了
要知道 在GSM的PA MODULE里面 GMSK的效率一般也就50%左右 EDGE还要低得多
再低个20-30%的话 似乎已经非常低了
如果换算成平均效率 似乎有点很难看
COPPER METAL 应该好做吧 但是集成电感 低Q的问题还有 介质层薄的原因 这在HBT
里面是非常明显的 金属的LOSS的差别应该不到哪儿去 当然用金除外了.
【在 a******t 的大作中提到】
: 现在CMOS PA设计是个趋势。
: 更aggressive的是和SoC集成，利用copper metal来做high Q的inductor减少loss.
: 在WLAN领域，现在有几家公司已经把PA集成到SoC里面，效率只比GaAs PA低20%-30%。
|
a******t
发帖数: 75 | 18 工业界不仅care efficiency，更多时候更care cost.
铜比铝做high Q inductor更有效，不光在电导率，更在于能做到比较thick.在低于
5GHz的频段，金属的loss在影响inductor Q的因素最显著。Substrate loss自从有
pattern ground shielding之后，已经不是最明显的影响Q的因素。工业界一般都用
pattern ground shielding （PGS）。 即使不用PGS，也可以用很多layout的方法来减
少sub loss,比方说，用NTN layer来增加sub resistance.
铜比铝还有个好处在于EMI，相同width,铜比铝能handle更多的current,这在PA设计中
非常重要.因为PA在peak power里一般要handle非常高的DC current.
HBT
【在 p*****t 的大作中提到】
: 呵呵 20-30%的效率差还是很吓人了
: 要知道 在GSM的PA MODULE里面 GMSK的效率一般也就50%左右 EDGE还要低得多
: 再低个20-30%的话 似乎已经非常低了
: 如果换算成平均效率 似乎有点很难看
: COPPER METAL 应该好做吧 但是集成电感 低Q的问题还有 介质层薄的原因 这在HBT
: 里面是非常明显的 金属的LOSS的差别应该不到哪儿去 当然用金除外了.
|
i******s
发帖数: 911 | 19 Stanford>UCLA>Berkeley
【在 b*******f 的大作中提到】
: 就Analog/RFIC的实力而言,下面的排名请大牛们给点意见,我根据印象随便排的
: Caltech > UCSB > UCLA > UCSD > USC > UCD
: 感谢!!
: UCSC不清楚
|
i******s
发帖数: 911 | 20 sucks, ASIC only
【在 b*******f 的大作中提到】
: USC怎样???
|
|
|
r******s
发帖数: 8 | 21 GSM PA这块 CMOS的效率大概比HBT低5%
参看Axoim的CMOS PA
HBT
【在 p*****t 的大作中提到】
: 呵呵 20-30%的效率差还是很吓人了
: 要知道 在GSM的PA MODULE里面 GMSK的效率一般也就50%左右 EDGE还要低得多
: 再低个20-30%的话 似乎已经非常低了
: 如果换算成平均效率 似乎有点很难看
: COPPER METAL 应该好做吧 但是集成电感 低Q的问题还有 介质层薄的原因 这在HBT
: 里面是非常明显的 金属的LOSS的差别应该不到哪儿去 当然用金除外了.
|
p*****t
发帖数: 966 | 22 got it.
但是我讲的介质层薄 是说寄生电容很大.这个是会影响Q的.
【在 a******t 的大作中提到】
: 工业界不仅care efficiency，更多时候更care cost.
: 铜比铝做high Q inductor更有效，不光在电导率，更在于能做到比较thick.在低于
: 5GHz的频段，金属的loss在影响inductor Q的因素最显著。Substrate loss自从有
: pattern ground shielding之后，已经不是最明显的影响Q的因素。工业界一般都用
: pattern ground shielding （PGS）。 即使不用PGS，也可以用很多layout的方法来减
: 少sub loss,比方说，用NTN layer来增加sub resistance.
: 铜比铝还有个好处在于EMI，相同width,铜比铝能handle更多的current,这在PA设计中
: 非常重要.因为PA在peak power里一般要handle非常高的DC current.
:
: HBT
|
h*******y
发帖数: 896 | 23 虽然不懂，但还是赞一些写的这么详细，呵呵
【在 a******t 的大作中提到】
: 工业界不仅care efficiency，更多时候更care cost.
: 铜比铝做high Q inductor更有效，不光在电导率，更在于能做到比较thick.在低于
: 5GHz的频段，金属的loss在影响inductor Q的因素最显著。Substrate loss自从有
: pattern ground shielding之后，已经不是最明显的影响Q的因素。工业界一般都用
: pattern ground shielding （PGS）。 即使不用PGS，也可以用很多layout的方法来减
: 少sub loss,比方说，用NTN layer来增加sub resistance.
: 铜比铝还有个好处在于EMI，相同width,铜比铝能handle更多的current,这在PA设计中
: 非常重要.因为PA在peak power里一般要handle非常高的DC current.
:
: HBT
|
a******t
发帖数: 75 | 24 同意：）
在没有pattern ground shielding的情况下，的确是这样。
不过如果有pattern ground shielding， 因为sub resistance被ground掉，这个寄生
电容就不会产生loss，只会影响self-resonance frequency.
【在 p*****t 的大作中提到】
: got it.
: 但是我讲的介质层薄 是说寄生电容很大.这个是会影响Q的.
|
f*******o
发帖数: 7 | 25 cost 当然要考虑，但是efficiency和linearity是PA的两大重要性能指标。
efficiency比传统的PA低到20-30%，那基本上就是不能用了，直流供10W，输出才1-2W,
你就是再便宜也没有人会用，手机上更不会用，打个电话，5分钟没电了。cool。。。
【在 a******t 的大作中提到】
: 工业界不仅care efficiency，更多时候更care cost.
: 铜比铝做high Q inductor更有效，不光在电导率，更在于能做到比较thick.在低于
: 5GHz的频段，金属的loss在影响inductor Q的因素最显著。Substrate loss自从有
: pattern ground shielding之后，已经不是最明显的影响Q的因素。工业界一般都用
: pattern ground shielding （PGS）。 即使不用PGS，也可以用很多layout的方法来减
: 少sub loss,比方说，用NTN layer来增加sub resistance.
: 铜比铝还有个好处在于EMI，相同width,铜比铝能handle更多的current,这在PA设计中
: 非常重要.因为PA在peak power里一般要handle非常高的DC current.
:
: HBT
|
a******t
发帖数: 75 | 26 mobile是个非常care battery life的领域，但是其它很多东西都不是这么care
battery life.比方说你买PC的时候，会去看价钱还是看哪个power consumption高10%
或者低10%。还有router， AP...
CMOS PA在越来越多系统中集成是个趋势。效率上去也是个时间问题。如果很多系统真
的这么care efficiency，那么应该用分离微波元件去搭RF电路，那也不用CMOS RF了。
cost在绝大部分consumer electronics是最重要的指标之一。
2W,
【在 f*******o 的大作中提到】
: cost 当然要考虑，但是efficiency和linearity是PA的两大重要性能指标。
: efficiency比传统的PA低到20-30%，那基本上就是不能用了，直流供10W，输出才1-2W,
: 你就是再便宜也没有人会用，手机上更不会用，打个电话，5分钟没电了。cool。。。
|
r******s
发帖数: 8 | 27 efficiency 现在CMOS比HBT只低5%，CMOS在手机上取代HBT的日子不会远了
2W,
【在 f*******o 的大作中提到】
: cost 当然要考虑，但是efficiency和linearity是PA的两大重要性能指标。
: efficiency比传统的PA低到20-30%，那基本上就是不能用了，直流供10W，输出才1-2W,
: 你就是再便宜也没有人会用，手机上更不会用，打个电话，5分钟没电了。cool。。。
|
