c******s 发帖数: 197 | 1 最近总是烧mosfet,发现是d-g短路,用的15V驱动ir2110下管输出,boost升压,输入电
压36,输出100V,不知道那些情况可能导致d-g短路,可以确定管子没有过压或过流,谢
谢 |
l***g 发帖数: 1035 | |
c******s 发帖数: 197 | 3 元件无过流,D-S无过压,上管无触发,不知道是管子先坏还是2110先挂(我觉得是管子
先坏了后高压加在栅极把driver烧了),以前也从来没有遇到过这种情况,谢谢!
【在 l***g 的大作中提到】 : circuit diagram please.
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g******u 发帖数: 3060 | 4 有可能gate resistor太小造成gate ringing过大?建议换成22ohm试试.
这个是经过多久坏的? 坏的情况如何?
你用的是什么FET?
【在 c******s 的大作中提到】 : 元件无过流,D-S无过压,上管无触发,不知道是管子先坏还是2110先挂(我觉得是管子 : 先坏了后高压加在栅极把driver烧了),以前也从来没有遇到过这种情况,谢谢!
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d****o 发帖数: 1112 | 5 更像是Id过载。。。
【在 g******u 的大作中提到】 : 有可能gate resistor太小造成gate ringing过大?建议换成22ohm试试. : 这个是经过多久坏的? 坏的情况如何? : 你用的是什么FET?
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c******s 发帖数: 197 | 6 我也这么想来着,只是没有去验证,昨天已经加了gate resistor 7.8ohm,不知道会怎
么样因为这个也不常发生。烧管子确实是在加大负载后发生的,有overkill的heatsink
,也有d-s的snubber,示波器上观察烧管前电流也是很平稳。管子是fairchild的200v5
2A,烧管子的时候电流大约20A
另外为什么看到凡是2110的片子gate resistor都是22ohm么,至少gate resistor应该和
fet的input capacitance有关吧,我用2110加1ohm的电阻驱动有些大管子,平率50k的时
候门及的脉冲都已经开始爬坡了。
谢谢!
【在 g******u 的大作中提到】 : 有可能gate resistor太小造成gate ringing过大?建议换成22ohm试试. : 这个是经过多久坏的? 坏的情况如何? : 你用的是什么FET?
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c******s 发帖数: 197 | 7 也是有可能,但为什么是d-g短路呢,可否解释一下?
【在 d****o 的大作中提到】 : 更像是Id过载。。。
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g******u 发帖数: 3060 | 8 有时FET坏了可能表现为不同现象的.
你看看把snubber去了以后drain电压是否还在允许范围以下,有时snubber调得不好会烧
芯片的. I've been there.你用的是RCD snubber么?
再观察一下电感.
【在 c******s 的大作中提到】 : 也是有可能,但为什么是d-g短路呢,可否解释一下?
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c******s 发帖数: 197 | 9 rc的,原来50%overshoot,50Mhz震荡,加了以后15%overshoot没有明显的震荡,烧管子
加snubber前后都有,谢谢
【在 g******u 的大作中提到】 : 有时FET坏了可能表现为不同现象的. : 你看看把snubber去了以后drain电压是否还在允许范围以下,有时snubber调得不好会烧 : 芯片的. I've been there.你用的是RCD snubber么? : 再观察一下电感.
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c******s 发帖数: 197 | |
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h*******y 发帖数: 896 | 11 are you sure the diagram is right??? |
d****o 发帖数: 1112 | 12 以前做hotswap的时候
如果板子正在工作,电流平稳
如果突然把电源拔掉
就会烧MOSFET
症状是短路
估计是di/dt太大
管子handle不了,烧了
【在 c******s 的大作中提到】 : 也是有可能,但为什么是d-g短路呢,可否解释一下?
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d****o 发帖数: 1112 | 13 snubber一般只管高频
只要那个电阻功率够大
能够处理给电容充放电的电流
就没问题
管子
【在 c******s 的大作中提到】 : rc的,原来50%overshoot,50Mhz震荡,加了以后15%overshoot没有明显的震荡,烧管子 : 加snubber前后都有,谢谢
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d****o 发帖数: 1112 | 14 D4, D5改成schottky的
另外你的switcher最好和100V那部分分开
用个单独的gate driver
switcher用opto coupler控制
100V。。。安全要求完全不一样了
干活小心
再看看有没有shot through
管子
【在 c******s 的大作中提到】 : rc的,原来50%overshoot,50Mhz震荡,加了以后15%overshoot没有明显的震荡,烧管子 : 加snubber前后都有,谢谢
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i*****t 发帖数: 24265 | |
E*****a 发帖数: 757 | 16 你看来不是做电源的?
这个是个synchronous boost |
c******s 发帖数: 197 | 17 synchronous boost没怎么见过,我的图没有画全,dc-link也是active的,这个
phaseleg是bidirectional,上面的管子是buck用的电池做负载,boost时候
不工作
【在 E*****a 的大作中提到】 : 你看来不是做电源的? : 这个是个synchronous boost
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c******s 发帖数: 197 | 18 要求是不隔离的,越简单越好,上面的管子不工作的,只用diode,另外途中power电路
中的diode都是ultrafastdiode,恢复时间很短<45ns,我再观察观察各个点
的电压电流,再有问题再聊请教大家,谢谢
【在 d****o 的大作中提到】 : D4, D5改成schottky的 : 另外你的switcher最好和100V那部分分开 : 用个单独的gate driver : switcher用opto coupler控制 : 100V。。。安全要求完全不一样了 : 干活小心 : 再看看有没有shot through : : 管子
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g*****g 发帖数: 3623 | 19 Vgs too high due to ringing?
,谢
【在 c******s 的大作中提到】 : 最近总是烧mosfet,发现是d-g短路,用的15V驱动ir2110下管输出,boost升压,输入电 : 压36,输出100V,不知道那些情况可能导致d-g短路,可以确定管子没有过压或过流,谢 : 谢
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p******h 发帖数: 577 | 20 Boost 电路一般要求用快恢复的二极管。会不会因为下管c dv/dt 导致gate 从d那边感应电压,引起误导通,从而烧管子?
,谢
【在 c******s 的大作中提到】 : 最近总是烧mosfet,发现是d-g短路,用的15V驱动ir2110下管输出,boost升压,输入电 : 压36,输出100V,不知道那些情况可能导致d-g短路,可以确定管子没有过压或过流,谢 : 谢
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g******u 发帖数: 3060 | 21 have you tried 22 ohm as gate resistor yet?
There is another way to find the problem. Don't use the upper FET at all
since it's synchronous FET anyway, won't help much. Use a function generator
to drive the bottom FET, (put an optoisolator/signal transformer or fuse
there) and see if the FET still dies. |
l***g 发帖数: 1035 | 22 add a desaturation protection bah..
【在 c******s 的大作中提到】 : synchronous boost没怎么见过,我的图没有画全,dc-link也是active的,这个 : phaseleg是bidirectional,上面的管子是buck用的电池做负载,boost时候 : 不工作
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d****o 发帖数: 1112 | 23 不隔离会有safety的问题
【在 c******s 的大作中提到】 : 要求是不隔离的,越简单越好,上面的管子不工作的,只用diode,另外途中power电路 : 中的diode都是ultrafastdiode,恢复时间很短<45ns,我再观察观察各个点 : 的电压电流,再有问题再聊请教大家,谢谢
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