菜鸟问题: 版图设计里process feature size, database unit (DBU), manufacturing grid, snapping grid 的区别？ - EE版

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EE版 - 菜鸟问题: 版图设计里process feature size, database unit (DBU), manufacturing grid, snapping grid 的区别？

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菜鸟求教EE大拿们：
180nm的工艺，process feature size应该是180nm，也就是最小栅长（L），是吗？那
么database unit (DBU), manufacturing grid, 以及snapping grid 相应地应该怎么
设置？看GDSII文件里DBU设置在0.001um，为什么这么小？feature size是不是就是指
版图里允许画的最小的尺寸，小于这个就通不过DRC了？比如说，180nm的工艺，无论是
W还是连线长度都必须是180nm的整倍数，snapping grid必须是feature size的整倍数
？如果画个200nm的金属线实际做出来是200nm还是180nm?

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