[转载]绪论－纳米粒子二维结构物性研究进展（3） - Macromolecules版

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标题: 绪论－纳米粒子二维结构物性研究进展（3）
发信站: 北大未名站 (2002年05月24日00:01:56 星期五) , 站内信件
二．纳米粒子二维结构的单电子输运性质
当体系的尺度进入到纳米级（一般金属粒子为几个纳米，半导体粒子为几十个纳米），
体系的电荷是量子化的，即充电和放电过程是不连续的，充入一个电子所需的能量Ec=e2
/2C ，e为电子电荷，C为小体系电容，体系越小则电容越小，能量Ec也就越大。Ec被称
为库仑阻塞能。表征的是前一个电子对后一个电子的排斥能，这样导致对一个小体系的
充放电过程电子不能集体传输，而是一个一个单电子的传输，通常将这种单电子传输行
为成为库仑阻塞效应。如果将两个量子点通过一个“结”连接起来，一个量子点的单个
电子穿过能垒到另一个量子点上的行为被称为量子隧穿，在一个量子点上加的电压（V/2
）必须克服Ec，即必须满足V>e/C，利用库伦阻塞和量子隧穿效应可以设计下一代纳电
子器件[1]。但是通常库仑阻塞和量子隧穿都是在极低的温度下观察到的，构建室温单电
子晶体管被认为是纳电子器件走向应用的关键之一，“如果能够将量子点的尺寸减小到
几n

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