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Military版 - 中国发明半浮栅晶体管
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为何如今却落后20年关注中国“芯”:中国1-8月在集成电路领域完成投资同比增长55.6%。 来源: xwu622 于 2013-09-30 07:29:38 [档案] [博客] [旧帖] [给我悄悄话] 本文已被阅读:4
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话题: 晶体管话题: 半浮话题: mosfet话题: 集成电路话题: 发明
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d*****l
发帖数: 8441
1
中国发明半浮栅晶体管 有助获得芯片制造话语权
中国研究人员8日在美国《科学》杂志上报告说,他们在集成电路的基本单元晶体管研
究上取得突破,发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件,可让数据擦写更
容易、迅速。 据介绍,它的成功研制将有助我国掌握集成电路的核心技术,从而在芯
片设计与制造上逐渐获得更多话语权。
研究负责人、复旦大学教授王鹏飞说:“我国集成电路产业主要依靠引进和吸收国外成
熟的技术,在微电子核心器件及集成工艺上缺乏核心技术。半浮栅晶体管的成功研制将
有助我国掌握集成电路的核心技术,从而在芯片设计与制造上逐渐获得更多话语权。”
据王鹏飞介绍,金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中的主流
器件,过去几十年工艺的进步让MOSFET晶体管的尺寸不断缩小,越来越接近其物理极限
,基于新结构和新原理的晶体管成为当前业界急需。半浮栅晶体管是在MOSFET晶体管中
内嵌一个广泛用于低功耗电路的装置----隧穿场效应晶体管(TFET)制成。它的优势在
于体积可更小,结构更简单,读写速度更快,且一片这样的晶体管的功效可比得上多块
MOSFET晶体管。
m*******l
发帖数: 12782
2
美国早有了, TG肯定是偷的的--- 老将

【在 d*****l 的大作中提到】
: 中国发明半浮栅晶体管 有助获得芯片制造话语权
: 中国研究人员8日在美国《科学》杂志上报告说,他们在集成电路的基本单元晶体管研
: 究上取得突破,发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件,可让数据擦写更
: 容易、迅速。 据介绍,它的成功研制将有助我国掌握集成电路的核心技术,从而在芯
: 片设计与制造上逐渐获得更多话语权。
: 研究负责人、复旦大学教授王鹏飞说:“我国集成电路产业主要依靠引进和吸收国外成
: 熟的技术,在微电子核心器件及集成工艺上缺乏核心技术。半浮栅晶体管的成功研制将
: 有助我国掌握集成电路的核心技术,从而在芯片设计与制造上逐渐获得更多话语权。”
: 据王鹏飞介绍,金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中的主流
: 器件,过去几十年工艺的进步让MOSFET晶体管的尺寸不断缩小,越来越接近其物理极限

l*********u
发帖数: 19053
3
lol :)

【在 m*******l 的大作中提到】
: 美国早有了, TG肯定是偷的的--- 老将
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