第二章纳米管加速发展 - NanoST版

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NanoST版 - 第二章纳米管加速发展

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相关话题的讨论汇总
话题: 纳米管话题: 碳纳米管话题: 电极话题: 底物话题: 闸门

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m******i
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现在，从碳纳米管制造的晶体管具有与硅元件相竞争的电子特性
使用分子电子元件的概念至少始自1974年，当时Ari Aviram和Mark Ratner在纽约
IBM，,然后又在纽约大学提出了他们的理论，即把分子放在两块金属电极之间能起整流
器作用。然而，单个分子在实验室被成功地连结到纳米级的电极上，竞花费了20多年的
时间，困难在于制定信号分子的处理操作和仅以几个纳米大小建立分离电极的能力。
但是到1990年中期，令人振奋的新材料碳纳米管已经登场。碳纳米管恰象卷曲起来
的直径几个纳米级的绘图纸片，直径仅为几个纳米的碳纳米管根据其电子排列既具金属
又具半导体习性。辅以机械强度和纳米的长度，世界范围内的研究所很快把它们连结成
大分子。
获取碳纳米管一种常见方法包括在用氧化层复盖的传导底物上制造输进输出的电极
，然后把纳米管滴在底物上。经常叫闸门电极的底物，纳米管能起到象两片电容器的作
用，因此随着对闸门使用不同的电压，在纳米管上携带的电荷数量发生变化。
测定半导体纳米管展现出并不希望的电流特性，包括提高闸门电压即增加几个数量
级的电阻，早期元件的电流特点非常象常规金属—氧—硅场效应晶体管（M

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