发帖数: 1 | 1 中国自主研发32层NAND闪存明年起量产
崔贤珠 记者 | 2018.08.09 10:31写信给编辑
中国在存储芯片领域展开了空袭。在被视为半导体起源地的美国硅谷举行的半导体大会
上，中国长江存储科技有限责任公司(YMTC)宣布，将从明年开始向市场供应32层三维
NAND闪存(以下简称NAND)，并公开了自主三维NAND量产技术。
中国长江存储8月7日(当地时间)参加在美国圣克拉拉会议中心举行的闪存峰会(Flash
Memory Summit)，公开了32层三维NAND样品。该公司表示，产品将从今年10月开始进行
试投产，明年启动大规模量产。在此之前，长江存储曾在去年公开三维NAND技术，宣布
将在一年后的今年年末启动量产。中国作为全球最大的存储芯片市场，中国企业宣布“
自主生产”给全球存储芯片市场带来了巨大冲击。但当时业界普遍认为中国不可能轻易
成功实现量产。
当时中国没有任何生产存储芯片的基础，长江存储又是一家2016年刚刚成立的新生企业
。但现在看来，这家企业似乎要打破人们的预期，成立短短三年后就将向市场推出中国
生产的存储芯片。长江存储是中国国营半导体公司清华紫光集团的子公司... 阅读全帖 |
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f***y
发帖数: 4447 | 2 中国，武汉， 北京时间2018年8月7日，作为NAND行业的新晋者，长江存储科技有限责
任公司（以下简称：长江存储）今天公开发布其突破性技术——XtackingTM。该技术将
为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。
采用XtackingTM，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。
这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及
更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工
后，创新的XtackingTM技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical
Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成
本。
闪存和固态硬盘领域的知名市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师
Gregory Wong认为："随着3D NAND更新换代，在单颗NAND芯片存储容量大幅提升后，要
维持或提升相同容量SSD的性能将会越来越困难。若要推动SSD性能继续提升，更快的
NAND... 阅读全帖 |
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f***y
发帖数: 4447 | 3 集微网消息，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）今日
宣布，将在其第三代3D NAND闪存中应用Xtacking®2.0，相关技术概念将在即将举
办的IC China 2019上进行介绍。这是今天长江存储宣布中国首款64层3D NAND闪存首次
亮相之后，发布的另一重磅消息。
Xtacking®是长江存储在去年FMS（闪存技术峰会）首次公开的3D NAND架构，荣获
当年“Best of Show”奖项。其独特之处在于，采用Xtacking®，可在一片晶圆上
独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的
先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也
将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking®技术只
需一个处理步骤就可通过数十亿根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互
联通道)将二者键合接通电路，带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品
上市周期，而且只增加了有限的成本... 阅读全帖 |
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f***y
发帖数: 4447 | 4 离三星只有一两年距离
http://laoyaoba.com/ss6/html/62/n-626162.html
集微网消息（文/刘洋）2017年1月14日，首届IC咖啡国际智慧科技产业峰会暨ICTech
Summit 2017在上海隆重举行。本次峰会以“匠心独运 卓越创‘芯’”为主题，集结了
ICT产业领袖与行业精英，在年前献上一场前所未有的饕餮盛宴。
长江存储CEO杨士宁先生
长江存储CEO杨士宁先生以《发展存储产业的战略思考》为题，分别从市场动力、可能
成功的外界条件、必须成功的内在努力和长江存储的计划及进展四个方面做一一讲解。
存储器是具备可以储存图像数据或文字数据、程序等信息，在必要时取出的功能的器件
。从半导体存储器技术的分类来看，目前DRAM和NAND闪存的总产值占全球存储器产业的
95%。IBS数据预计，未来十年NAND闪存的需求量还将持续增长10倍，主要应用在云计算
、物联网及数据中心等领域。
2016年，三星电子在DRAM和NAND闪存的市场份额同时占据第一位，集中度越来越高。杨
士宁认为存储器市场亟需打破现状，对于长江存储来说，现在是一个“最好”的时间点
，有许多... 阅读全帖 |
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f***y
发帖数: 4447 | 5 http://laoyaoba.com/ss6/html/14/n-681214.html
原标题：实现闪存行业划时代跃进！长江存储将首次公布新型3D NAND架构Xtacking
集微网消息，近日长江存储官方透露，将于8月份在美国首次公布新型3D NAND架构
Xtacking，据称该技术可将NAND传输速率提升至DRAM DDR4相当的水准，同时使存储密
度达到行业领先水平，实现闪存行业的划时代跃进。
据长江存储介绍，Xtacking技术将为NAND闪存带来前所未有的超高传输速率，从而将
NAND闪存应用产品，如UFS、消费级及企业级SSD的性能提升至全新的高度。在客户、行
业伙伴以及标准机构的合力帮助下，Xtacking将为高性能的智能手机、个人计算、数据
中心和企业应用展开新篇章。
Xtacking技术实现了NAND矩阵与外围电路的并行加工。这种模块化闪存开发和制造工艺
将大幅缩短新一代3D NAND闪存的上市时间，并使NAND闪存产品定制化成为可能。
该公司表示，长江存储CEO杨士宁博士将于8月份在美国举行的闪存峰会（FMS）上首次
公布Xtacking技术。不过未透露该技术... 阅读全帖 |
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h******k
发帖数: 15372 | 6 三星大陆厂将生产较低端芯片，多数供应中国手机市场，而韩厂将专注于生产高端芯片
。三星预估投产时间落为2019年，与大陆内存厂产出的时间相近，是否会引发市场供需
陷入供过于求？
内存市场高烧不退，其中Flash缺货情况比DRAM更为紧俏，业界预期，Flash荣景可能延
续到年底，甚至是明年，而目前看来，DRAM可能到第3季就会开始显现部分疲态。三星
电子嗅觉灵敏，他们周一（5月29日）即表示，正在考虑扩大其中国制造基地的存储器
芯片产能。
三星发言人称，正在考虑扩大西安工厂的产能，但具体细节还未确定，包括可能的投资
规模以及新增产能将用于生产哪些产品。内存业界指出，各家原厂3D NAND Flash逐步
开出，但预期今年内供需失衡的情况仍难以完全改善，所以整体市况仍偏向乐观。
消息人士称，三星与当地政府正进行协商最后阶段。 很可能在9月动工。 三星西安厂
现有第一产线是在2014年兴建，月产12万片NAND内存晶圆，若加上规划中的第二产线，
产量将达20万片。
三星此前已在西安工厂投资70亿美元生产3D NAND存储器芯片，现在计划让位于韩国京
畿道平泽市的全新NAND芯片厂自6月启动营... 阅读全帖 |
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f***y
发帖数: 4447 | 7 集微网9月2日消息，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储
”）正式宣布，公司已开始量产基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪
存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。作为中国首款64层3D NAND闪
存，该产品将亮相IC China 2019紫光集团展台。
长江存储64层3D NAND闪存晶圆
长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存
产品，拥有同代产品中最高的存储密度。Xtacking®可实现在两片独立的晶圆上分
别加工外围电路和存储单元，这样有利于选择更先进的制造工艺。当两片晶圆各自完工
后，创新的Xtacking®技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA
)将两片晶圆键合。相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking®可带来更快的I/O传输
速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。
根据先前的资料，目前世界上最快的3D NAND的I/O速度目标值是1.4Gbps，大多数NAND
供应商仅能供应1.... 阅读全帖 |
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f***y
发帖数: 4447 | 8 http://www.cas.cn/syky/201702/t20170215_4590615.shtml
近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存
储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。据
长江存储CEO杨士宁在IC咖啡首届国际智慧科技产业峰会（ICTech Summit 2017）上介
绍，32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求。该款存储器
芯片由长江存储与微电子所三维存储器研发中心联合开发，在微电子所三维存储器研发
中心主任、长江存储NAND技术研发部项目资深技术总监霍宗亮的带领下，成功实现了工
艺器件和电路设计的整套技术验证，向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。
在大数据需求驱动下，存储器芯片已是电子信息领域占据市场份额最大的集成电路
产品。我国在存储器芯片领域长期面临市场需求大而自主知识产权和关键技术缺乏的困
境，开展大容量存储技术的研究和相关产品研制迫在眉睫。传统平面型NAND存储器在降
低成本的同时面临单元间串扰加剧和单字位成本增加等技术瓶颈。寻求存储技术阶跃... 阅读全帖 |
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a****1
发帖数: 654 | 9 1)储存型闪存（NAND Flash）供货吃紧状况可望于明年首季纾解，近期三星等大厂积极
转进3D NAND Flash制造，但3D NAND Flash生产设备无法再转回生产DRAM，加上主要
DRAM厂仍采节制性增产， 预估明年DRAM市场仍将供不应求，并摆脱过往景气起伏牵绊
，成为重要的半导体组件。
内存业者强调，DRAM价格从去年下半年起开始上扬，截至今年第4季已连六季涨价，下
季韩系二大厂仍续涨5%，将写下创下史上最长涨价纪录。
反观NAND Flash明年首季面临价格回调压力，但过往2D NAND Flash市况不佳，相关机
台可以转回生产DRAM，导致DRAM产出大增的问题，现在则不再复见，对整体DRAM市况是
好事一桩。
业界分析，包括三星等大厂都积极挥军3D NAND Flash新技术，但3D NAND Flash的设备
，无法如过去快速转换生产DRAM，在制程转换难度升高，以及DRAM应用端扩大，加上中
国大陆目前仍无法取得技术授权下， 未来几年DRAM厂都会维持稳定获利局面。
至于韩系大厂扩厂，是否会导致DRAM价格修正？ 业者分析，目前三星和SK海力士宣布
投入... 阅读全帖 |
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w********1
发帖数: 3492 | 10 2012-07-19 10:07:26[北京时间]
据台湾《电子时报》报道，最近
有人推测苹果下一代iPhone的发布时间有可能推迟至十月份。这一消息引起了诸多NAND
闪存芯片制造商对2012年下半年需求量的关注。苹果设备所使用的NAND产品在全部的
NAND供应品中占据了很大比例。
根据一些芯片制造商的说法，今
年下半年很有可能会发生类似的状况。这段时期同时也是用于智能机及其他受欢迎的消
费科技产品中闪存产品传统的销售高峰期。但是新iPhone的发布时间，在决定整体的闪
存需求前景方面将发挥关键作用。
此外，无论是NAND闪存的出厂价
，还是其合约市场价，自从2012年初由于需求量太小，因此价格下降。但最近其价格不
再下降。NAND闪存价格趋于稳定，这是制造商故意减少出产量的结果，而不是实际需求
量增加的结果。
芯片制造商普遍希望，将于2012
年下半年发布的新智能机、新平板电脑及超极本能够带动NAND闪存需求量的增加，同时
有助于拉动芯片价格的增长。
[源自威锋] |
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s******o
发帖数: 4 | 11 投资公司RBC Capital芯片分析师道格·弗雷德曼(Doug Freedman)今天发表报告称，苹
果iPhone 5中NAND闪存芯片的毛利率高达93%。
弗雷德曼在报告中写道，每部iPhone中的芯片成本约为83美元，其同事艾米特·达亚纳
尼(Amit Daryanani)估计明年iPhone出货量将达到1.72亿部，iPhone消耗的芯片价值将
达到143亿美元，占明年全球芯片销售额预期的4.6%。
弗雷德曼认为SanDisk将成为iPhone芯片供应商中的赢家。弗雷德曼在谈到苹果在NAND
闪存芯片上的利润率时称，“对于iPhone存储容量每增加16GB价格提高100美元，我们
感到吃惊，亚马逊对每16GB NAND闪存收取的价格在50美元(支持LTE的7英寸Kindle
Fire HD和9英寸Kindle Fire HD)至70美元(只支持WiFi的9英寸Kindle Fire HD)之间。
我们估计苹果采购NAND芯片的价格为每GB 0.42美元，销售价格为每GB 6.25美元，这意
味着苹果在NAND闪存芯片上获得的毛利率高达93%。”
弗里德曼认为iPhone芯片供... 阅读全帖 |
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G**U
发帖数: 5492 | 12 由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已经开
始使用
25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片，并相信足以领先其他竞争对手长达一年之久。
IMFT公司在闪存工艺上一向非常激进，每12-15个月便升级一次：成立之初是72nm，
2008年是
50nm，去年则率先达到了34nm，在业内领先六个月左右，也让Intel提前抢先发布了
34nm第二
代X25-M固态硬盘，美光也即将推出RealSSD C300系列。IMFT生产的闪存芯片有49％供
给Intel
客户、51％供给美光客户。
IMFT 25nm NAND闪存的量产将从今年第二季度开始，下半年开始批量出货，正好赶上
Intel预
计年底发布的第三代X25-M固态硬盘，容量有160GB、320GB、600GB等。
率先投产的25nm NAND闪存芯片使用了沉浸式光刻技术(对Intel来说是史上第一次)，内
核面积
167平方毫米，容量8GB(64Gb)，每单元容量2比特(2-bit-per-cell)。
IMFT 25nm NAND闪存支持开放式NAND闪存接口O |
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h******g
发帖数: 36 | 13 【 以下文字转载自 EE 讨论区 】
发信人: huoqiang (job-seeking-period), 信区: EE
标 题: 【面试问题求助】NAND哪个input更快？
发信站: BBS 未名空间站 (Fri Jan 31 13:33:18 2014, 美东)
大家好~~问个面试时候问道的问题
Which input of 2 input NAND gate is faster. ? Why ?
Input that is closes to the output node of NAND gate is faster. It’s input
A in above figure. This is because of we assume that the NMOS closest to the
Vss is already turned on than Vss has effectively moved to the source of
the NMOS near the output of the NAND gate (between A & B NMOS) and he... 阅读全帖 |
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d*********s
发帖数: 7 | 14 设计系统说的是嵌入式系统吗？
nor支持随机读写,nand好像必须按页读。
以前做过nand的一个系统，nand自带小ram的，好像是上电自动把第一页代码copy到小
ram的。
另外读写速度上也有差别，具体看产品datasheet好了。
普通flash系统应该可以转NAND,驱动不同，根据datasheet改。不少系统是两种flash都
挂的。 |
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F********g
发帖数: 475 | 15 You will probably have to rewrite low level firmware to do sequential
programming and erasing for NAND flash.
from wiki
"Distinction between NOR and NAND flash
NOR and NAND flash differ in two important ways:
the connections of the individual memory cells are different
the interface provided for reading and writing the memory is different (NOR
allows random-access for reading, NAND allows only page access)
It is important to understand that these two are linked by the design
choices made in the |
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t******e
发帖数: 2504 | 16 如果一切顺利的话，长江存储的32层NAND明年能量产，但还是中低档，目前NAND主流是
64层。至于DRAM,武汉就没有，紫光说在南京要建厂，但至今没有任何关于产品的消息
，连样品都没有，武汉的NAND，好歹还拿出了样品。
另外2个DRAM厂是在合肥，不是紫光的，去年报道说其中一个厂试产没有一个产品合格
，现在没消息，他们的目标是良率达10%，其实这个目标是很低了。合肥的另外一个厂
，估计还在纸面协议上。 |
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y**h
发帖数: 3093 | 17 Dram在西安
还在造十年前的ddr3
[在 tosylate (neal) 的大作中提到：]
:如果一切顺利的话，长江存储的32层NAND明年能量产，但还是中低档，目前NAND主流
是64层。至于DRAM,武汉就没有，紫光说在南京要建厂，但至今没有任何关于产品的消息
:，连样品都没有，武汉的NAND，好歹还拿出了样品。
:另外2个DRAM厂是在合肥，不是紫光的，去年报道说其中一个厂试产没有一个产品合格
:，现在没消息，他们的目标是良率达10%，其实这个目标是很低了。合肥的另外一个厂
:，估计还在纸面协议上。 |
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f***y
发帖数: 4447 | 18 传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%，降低了芯片的存储密度。随着
3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。
XtackingTM技术将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密
度。 |
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z******a
发帖数: 360 | 20 正在做一个项目，nand非常容易崩溃。
有没有什么办法监测哪个进程过多地进行nand读写。
另外ubi系统是不是对nand支持的不好？ |
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h******g
发帖数: 36 | 21 大家好~~问个面试时候问道的问题
Which input of 2 input NAND gate is faster. ? Why ?
Input that is closes to the output node of NAND gate is faster. It’s input
A in above figure. This is because of we assume that the NMOS closest to the
Vss is already turned on than Vss has effectively moved to the source of
the NMOS near the output of the NAND gate (between A & B NMOS) and hence
there is less resistive path now.
意思就是离output近的NMOS速度快？这段解释不太明白。。求大家帮忙讲一下 |
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y*d
发帖数: 2226 | 22 美光的3d nand厂在哪个城市？
三丧的3d nand厂在哪个城市？ |
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y*d
发帖数: 2226 | 23 美光就两大产品，flash和dram
flash技术现在最牛的三丧。去年夏天三丧的3d nand就量产了，美光乐观的估计也要等
到今年年底。三丧可以把工厂修在西安，说明3d nand需要的设备材料都不受禁运。三
丧的牛逼工艺如果中国想要，派几个探子去三丧厂里看看就行了。
dram拼的是光刻的线宽，这一块美光自己也没有啥独门技术。他们的生产设备全是从别
家买的，有些技术是通过和intel合作得到的。关键是生产dram需要的光刻设备是禁运
的，TG买了美光也不能把美光生产线弄回中国。
所以，我不觉的中国真能从美光身上榨出什么油水 |
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C*********g
发帖数: 918 | 24 http://news.mydrivers.com/1/221/221484.htm
台湾《电子时报》报道，继三星此前宣布将在中国内地建造一座12英寸晶圆工厂之后，
同为韩国存储设备巨头的Hynix（海力士）半导体近日称该公司位于无锡的DRAM晶圆工
厂将改产NAND闪存。
由于苹果iPad、MacBook Air以及Intel Ultrabook的需求持续增长，32-128Gb闪存颗粒
的订单也像雪花一样飞来。放弃目前利润较低的DRAM一部分产能用来生产NAND闪存有助
于存储产业公司改善财政状况。 |
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a****1
发帖数: 654 | 25 三星在DRAM和闪存市场占有半壁江山。它计划明年将其在生产方面的资本支出预算提到
1.5倍，提高至260亿美元。相对而言，英特尔在2017年的资本支出预算仅为120亿美元
，较2016年增长了25%。事实上，三星的预算约为2017年三家大公司英特尔、台积电和
SK海力士的资本支出预算的总和。
三星的主要竞争对手现在面临着一个艰难的抉择。它们要么提高资本支出预算，保障足
够的供应量，从而保有自己的市场份额，要么干脆放弃竞争，因为三星更高的产能将会
产生别人难以企及的规模经济效应。
任何想要追赶三星的公司都面临着整个行业供给过剩、价格下滑以及亏损扩大的问题。
半导体工厂必须全负荷运行，才能维持最低的成本，只要价格能够支付各种可变开支和
固定成本，那就值得继续维持工厂运转。
但是，如果它们不增加预算，提高产能，那么它们就可能面临市场份额萎缩、成本增加
并最终被淘汰出局的后果。不要指望英特尔和镁光的合资企业能够对抗三星。英特尔几
十年前就退出了DRAM业务。
英特尔和镁光依靠其3D XPoint NVRAM（非易失性闪存）可能能够在DRAM和闪存市场上
占有一席之地。但是，这一希望注定落空，因... 阅读全帖 |
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x****u
发帖数: 12955 | 26
nand
If it's meet the promoted spec, then it should be able to start to replace
NAND in consumer device in about 4-5 years. |
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n***d
发帖数: 8857 | 27 细想想也没什么大用。取代nand ssd是没问题
nand |
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a*o
发帖数: 19981 | 28 尼玛目前NAND SSD最关键的问题就是容量，破新技术恰恰就这个问题解决不了，看好其
死掉。
nand |
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g*****n
发帖数: 23 | 29 以前老系统上用的是普通Flash，现在发现NAND Flash 相对便宜多了，请问二者有啥区
别？
新设计系统可否考虑转到NAND Flash上？
谢谢回复！ |
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w*******y
发帖数: 60932 | 30 来自主题: _DealGroup版 - 【$】7" Android Tablet, Capacitive, Multi-touch, Dual-Core A9 CPU, HDMI, 512MB RAM, 4GB Nand, WiFi, Bluetooth, Free 5 Day DHL Int'l Screen Protector, $169.99 So, we have: 7" Multi-touch Capacitive touchscreen, Dual-Core A9 CPU,
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n****4
发帖数: 12553 | 31 药丸。现在存储技术的前沿是磁矩存储。美国已经有好几家公司生产和销售了。在这个
领域，三星都不算最好的，正在追赶。nand没几年了。 |
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M****h
发帖数: 4405 | 32 长江存储开发的32层nand闪存芯片
这个意义还是相当大的
相当于在液晶这块突破后，闪存也突破了
本版的傻逼老将怎么办，是不是今天打算不吃晚饭了，来表示悲愤？ |
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f***y
发帖数: 4447 | 33 2015年长江存储的前生武汉新芯就研发了16层nand，离韩国不是太远。 |
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s***c
发帖数: 1926 | 34 NAND和DRAM芯片就看长江存储的了。我觉得希望还是很大的，武汉毕竟人才济济。驱逐
舰，电磁弹射，电磁炮都很靠谱。
华科，武大的EE,CS的毕业生难道会比湾湾的台成清交差？李一男，张小龙，雷军。。
。技术型的领导人才层出不穷啊。 |
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y**h
发帖数: 3093 | 35 国芯不行转长江
紫光就是在骗屁民骗大大
毛也搞不出来
[在 soric (soric) 的大作中提到：]
:NAND和DRAM芯片就看长江存储的了。我觉得希望还是很大的，武汉毕竟人才济济。驱
逐舰，电磁弹射，电磁炮都很靠谱。
:华科，武大的EE,CS的毕业生难道会比湾湾的台成清交差？李一男，张小龙，雷军。。
:。技术型的领导人才层出不穷啊。 |
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S*********n
发帖数: 3939 | 36 DDR, NAND, NOR都是我憋短板。谨慎乐观。 |
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l*******4
发帖数: 3054 | 37 弱问，NAND内存大幅减产会对IPAD2产量有多大影响，对ebiz有多大影响？ |
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o********s
发帖数: 66 | 38 Nand gate is prefered I think |
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v**********x
发帖数: 197 | 39 nand gate would have large delay for large number of inputs, as these inputs
constitute a chain of NMOS.It also has charge redistribution problem?
NOR gate is faster but needs a large area.
Not sure if above things are what you are looking for. |
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e**e
发帖数: 614 | 40 NAND闪存市场变化莫测，早前几个月东芝还在减产30%以缓解市场供需不平衡的状况，
而三星以及SK Hynix也纷纷跟进降低产能，但是转眼间TweakTown就收到内部消息称东
芝已经准备把Toggle闪存降价20-25%。
东芝这么做主要是屈从于市场竞争压力。因为东芝、三星及SK Hynix减产的同时，
美光并没有跟进降低产能或者提价，反而借此机会扩大市场份额，一些SSD公司甚至在
现有产品之外紧急改用美光闪存生产新的SSD产品，比如OCZ Vertex 4 512GB M型号。
（巧合的是，我们昨天也买了两块V4 512GB型号，发现里面的闪存颗粒确实变了，从原
来的IMFT换成了美光的颗粒，测试还在进行中）
如今东芝或许是发现减产并没有得到想要的结果，反而丢失了不少市场份额，这才
决定降价以吸引客户，从美光手中夺回自己丢失的市场份额。由此一来，那么市场上的
SSD价格还会大幅降价。
SSD厂商表示：“我们刚从xx处得到消息，价格战今天就要开始。我们的SSD产品也
会降价25%左右。”
这一消息还未得到证实，不过在充分开放的市场上也不无可能，韩日厂商想用减产
的方式维持价格，不过却... 阅读全帖 |
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j***o
发帖数: 2842 | 41 我前些天把pogoplug pro B02给brick了
结果用sata硬盘方法链接能直接启动进入ssh，用这种方法，系统不管nand中的内容了
问题是，能不能把nano给恢复成出厂的设置？ |
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