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全部话题 - 话题: nand
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S*A
发帖数: 7142
1
因为我最近在 hack 这个 Pogoplug V4 mobile。我顺便帮
你看了以下。
我从 UBoot 上面去掉了 serial cosole。这个是 dmesg。
时钟初始化是在 12 妙开始, 并不是 Linux 真正启动了 12 妙。
所以走到 systemd 启动也才 3.5 秒钟。注意其中有 USB 硬盘
访问,因为那个 rootfs 是在 USB 上面。仔细看 demsg,去掉
USB 硬盘访问,去掉 SATA 寻找硬盘,去掉 Ethernet 寻找
Link 的时间,剩下初始化应该就在 2 秒钟以内了。这个 3.5
秒钟很多时间是在和 USB storage 的东西相关。你只要
rootfs 不在 USB flash 上面,这些都可以启动的时候不做。
所以 2 秒钟启动应该是可以的,不需要特别多定制。
基本上改改 kernel config 或者启动参数就可以了。
[ 0.000000] Booting Linux on physical CPU 0x0
[ 0.000000] Initializing cgroup subsys cpuset
[ ... 阅读全帖
S*A
发帖数: 7142
2
因为我最近在 hack 这个 Pogoplug V4 mobile。我顺便帮
你看了以下。
我从 UBoot 上面去掉了 serial cosole。这个是 dmesg。
时钟初始化是在 12 妙开始, 并不是 Linux 真正启动了 12 妙。
所以走到 systemd 启动也才 3.5 秒钟。注意其中有 USB 硬盘
访问,因为那个 rootfs 是在 USB 上面。仔细看 demsg,去掉
USB 硬盘访问,去掉 SATA 寻找硬盘,去掉 Ethernet 寻找
Link 的时间,剩下初始化应该就在 2 秒钟以内了。这个 3.5
秒钟很多时间是在和 USB storage 的东西相关。你只要
rootfs 不在 USB flash 上面,这些都可以启动的时候不做。
所以 2 秒钟启动应该是可以的,不需要特别多定制。
基本上改改 kernel config 或者启动参数就可以了。
[ 0.000000] Booting Linux on physical CPU 0x0
[ 0.000000] Initializing cgroup subsys cpuset
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d**g
发帖数: 1031
3
网上看来的, 我擦, 都不太会做.已经没法子跳槽啦.
1、同步电路和异步电路的区别是什么?(仕兰微电子)
2、什么是同步逻辑和异步逻辑?(汉王笔试)
同步逻辑是时钟之间有固定的因果关系。异步逻辑是各时钟之间没有固定的因果关系。

3、什么是"线与"逻辑,要实现它,在硬件特性上有什么具体要求?(汉王笔试)
线与逻辑是两个输出信号相连可以实现与的功能。在硬件上,要用oc门来实现,由于不
用 oc门可能使灌电流过大,而烧坏逻辑门。 同时在输出端口应加一个上拉电阻。
4、什么是Setup 和Holdup时间?(汉王笔试)
5、setup和holdup时间,区别.(南山之桥)
6、解释setup time和hold time的定义和在时钟信号延迟时的变化。(未知)
7、解释setup和hold time violation,画图说明,并说明解决办法。(威盛VIA
2003.11.06 上海笔试试题)
Setup/hold time 是测试芯片对输入信号和时钟信号之间的时间要求。建立时间是指触
发 器的时钟信号上升沿到来以前,数据稳定不变的时间。输入信号应提前时钟上升沿
(如... 阅读全帖
l****n
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4
没错,小心不会变砖,不过我折腾了很多,试了几种uboot,包括jeff的。也试了NAND
安装。变砖过,不厚道拿去换了。NAND安装还是不推荐。1000次写寿命。
你就用那个official安装就好。
chain_install goflexnet /这个命令备份原版引导到不用的NAND上回头用
chain_revert可以恢复。所以新装不用执行chain_revert。uboot_uptodate/这个命令
就是写ubit到你的NAND引导分区替换原来的。执行了这个命令你就可以插入硬盘到SATA
接口了,然后就是下载那个大的包了。如果在ubit下不了你可以退出下好在进去。你甚
至可以提前下载好到你分好区并格式化成ext3的SATA硬盘第一个分区的根目录。
e*i
发帖数: 10288
5
来自主题: _voip版 - 用jtag恢复了dockstar
这个链接里面的东西不全,root 文件系统没有写到nand里面去,
因此你的东东启动完内核以后就不动了。
大概应该加上这两个语句在适当的位置:
------------------------------------------
nand erase 0x500000 0x2000000
------------------------------------------
以上语句清空mtd2
(dockstar mtd0 1M, uboot
mtd1 4M, kernel
mtd2 32m, rootfs)
------------------------------------------
nand write.e 0x1000000 0x500000 b39a59
------------------------------------------
以上语句将通过tftp读入内存起始位置为0x1000000 的内容(rootfs)
写到nand里面去,开始写的位置为0x500000 (mtd2的起始位置),写
的长度是b39a59。ce_ramdisk_v2.0b.img 文... 阅读全帖
f***y
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6
http://www.chinatimes.com/newspapers/20140511000053-260203
韓國三星電子在中國大陸陝西省西安市的半導體工廠本月9日正式投產,這是三星繼在
美國奧斯汀後,第二次在海外建設半導體工廠,也是三星迄今為止最大的一筆海外投資
。該廠投產後,將帶動160家配套企業入駐,西安的半導體基地正式成形。
韓聯社報導指出,這座工廠始建於2012年9月,投資達70億美元,是三星電子在大陸進
行的最大規模投資專案。韓國總統朴槿惠去年6月訪問大陸期間,也曾前往工廠視察。
該廠占地面積為115萬平方公尺、總建築面積23萬平方公尺,開工後以生產10奈米晶片
和3D垂直NAND Flash晶片為主。
香港文匯報報導,三星研發的V-NAND半導體晶片將現有「平面構造」的半導體晶片改造
為「3D垂直堆疊型結構」晶片,其讀寫速度提高了2倍以上,使用壽命最大延長了10倍
,耗電量減少了50%。據悉,在同行業中,V-NAND只有三星電子一家開始量產。
去年9月,三星電子、三星數據兩個研發中心已正式咝小S纱耍请娮釉谖靼驳陌雽
w生產基地將具備從研發生產到封裝測試的所有功能。... 阅读全帖
f***y
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7
http://laoyaoba.com/ss6/html/90/n-615390.html
大陆12吋晶圆厂华力微电子受惠于联发科、华邦、北京兆易创新(GigaDevice)等大客户
订单,包括通讯、NOR Flash晶片产能供不应求,不仅旗下12吋厂生产线满载,规划多
时的第二座12吋厂可望于年底前宣布启动兴建,预计新厂将直接切入28奈米製程,2018
年正式投产,届时将与台积电南京厂、联电厦门厂等竞逐大陆庞大的28奈米製程市场商
机。
大陆半导体产业布局规画陆续就定位,中芯国际负责逻辑晶片製造,武汉新芯挑起NAND
Flash自主研发生产重任,华力微是上海市政府钦点的12吋厂生产基地,华虹宏力8吋
厂则是专司特殊型晶片角色,至于IC设计领域有海思、展讯负责处理器产品,华为、华
澜、忆恒创源等负责NAND Flash/SSD晶片设计。
由于全球半导体大厂纷看好大陆内需市场,陆续前往大陆设立12吋厂,包括台积电南京
厂、联电厦门厂、英特尔(Intel)大连厂、三星电子(Samsung Electronics)西安厂、力
晶合肥厂等,分别布局高阶逻辑、NAND Flash、DRAM及LC... 阅读全帖

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8
来自主题: Military版 - 記憶體晶片業進入超超級循環
全球記憶體晶片產業正進入所謂的「超超級循環」,一方面因為晶片愈做愈小、效能愈
高的挑戰已使全球供應出現瓶頸,另方面因為對資料儲存晶片的需求殷切,從智慧手機
、人工智慧到自動駕駛車、物聯網。
晶片製造業者與分析師預測,去年平均漲了26%至31%的基準記憶體晶片價格,今年將
繼續上攻,因為供應依舊吃緊。野村證券分析師CW.鐘(CW Chung)說:「我們預期(
記憶體晶片)在2017年會有一個超超級循環,而非只是超級循環。」這種情況使得裝置
製造商急於取得穩定的供應來源,經銷商則擔心出貨延遲。
不過,晶片製造商享有豐厚的盈餘。例如,全球最大記憶體晶片製造商三星電子上周表
示,上季晶片事業的營業利益達創紀錄的4.95兆韓元,股價在過去12月漲77%,三星電
子在這段期間還經歷了Note 7的電池起火事件。
三星電子儲存營銷部高級副總裁傳世原(Chun Se-won)說:「至第4季底為止,我們的
動態隨機存取記憶體(DRAM)庫存特別吃緊。」
三星並未詳述庫存水準,但有些分析師推測,三星電子在去年12月底的DRAM庫存已掉到
不到一周的水準。法國巴黎銀行(BNP)預估,整個產業的NAND快閃記... 阅读全帖

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9
来自主题: Military版 - 华为手机看来不行了
三星目前已经成了中国智能手机行业崛起的最大现实障碍
苹果其实是让中国智能手机高度受益的公司,OPPO,VIVO,华为无一不在学习苹果,尤
其是OV两家公司,手机外观和界面已经对苹果达到了像素级模仿,在学习苹果的过程中
,中国公司不仅迅速的扩大了自己的市场份额,自身的设计和技术水平也得到了迅速的
提高,苹果可以说是中国智能手机行业前进的灯塔。
中国手机产业链现在最大的敌人是韩国,我们还是以中国智能手机的器件华为为例子,
2016年华为的利润被三星内存和屏幕疯狂的涨价坑惨了,下面是2016年11月华为宣布的
消息,华为2016年在韩国供应商采购金额高达45亿美元,增长了109%,按照2016年平均
6.8的汇率,就是306亿人民币,大大超过了华为对日本供应商的采购金额,占到了2016
年华为总营收大约5200亿人民币的5.88%.
更为重要的是疯狂的增长,2016年华为总体营收增幅仅为32%, 其中包含了手机业务的
消费者业务营收增长为42%, 而对韩国供应商的采购金额却猛增了109%,这大大的侵蚀
了华为的利润。
华为集团2016年营收为5200亿人民币,比上年的增量为1250亿人民币,... 阅读全帖
f***y
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10
来自主题: Military版 - 台积电----台湾最后的遮羞布
紫光收购的武汉新芯两年前就量产16层3d nand了。今年初突破32层3d nand。明年新厂
房建好就能投产64层3d nand。

看见
f***y
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11
来自主题: Military版 - 台积电----台湾最后的遮羞布
紫光收购的武汉新芯两年前就量产16层3d nand了。今年初突破32层3d nand。明年新厂
房建好就能投产64层3d nand。

看见

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12
反韩运动结硕果:韩国政府要求三星重新考虑在华投资,优先在本国建设存储芯片工厂
仰仗今年二季度约71.8亿美元的芯片业务利润,三星已经超越英特尔,夺得全球芯片产
业的头把交椅。
为了继续巩固其在存储芯片市场的统治地位,三星电子曾于8月29日宣布在未来3年投资
70亿美元,扩大其在中国西安工厂的NAND Flash存储芯片产能。
然而事情的发展远不如三星预想的一帆风顺。韩国媒体Electronic Times称,韩国新任
产业通商资源部长Paik Ungyu,要求三星电子CEO兼副会长权五铉重新考虑在中国西安
投资建厂的计划,平添变数。
三星电子股价早盘高开低走,一度跌近0.2%。
担心“萨德”入韩殃及池鱼 韩政府要求三星电子优先在本国建厂
据Electronic Times,Paik的这一要求,是在周一(9月18日)会晤韩国芯片和电子产
业集团高管时,对权五铉直接提出的。
产业通商资源部在韩国国家实体经济当中的地位举足轻重,统管韩国产业、资源、贸易
等方面政策,并积极动用国家资金扶持本土产业技术,三星、现代、LG、SK等韩国财阀
过去的惊人扩张,与产业通商资源部的大力支持是分不开的。
半... 阅读全帖

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13
钱已经砸下去了, 明年就知道有没有效果了
(ZT) 目前国内三大存储器厂商正处于紧锣密鼓的施工阶段,预计2018上半年陆续进
入设备安
装阶段,新一轮的设备入厂调试安装大戏即将上演。
国内三大存储器厂商
1)长江存储: 由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投
共同投资建设的国家存储器基地项目,在武汉东湖高新区正式动工建设。该项目总投资
240亿美元,主要生产存储器芯片,总占地面积1968亩。
这一项目即将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发
大楼和其他若干配套建筑,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。
项目一期计划2018年建成投产,2020年完成整个项目,总产能将达到30万片/月,年产
值将超过100亿美元。
目前,长江存储32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试,达到预期要求。
预计2018年实现量产,并于2019年实现产能满载。
今年6月,长江存储的厂址区域正在加速打桩工作中。预计2018年4月将实现设备安装,
第一阶段每月的产能大约在50000片,大规模生产的产品将是长江存储64... 阅读全帖
t******e
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14
来自主题: Military版 - 紫光国芯好像彻底被抛弃了
intel 在NAND上排第6位,这个intel,近年来在技术上有点相对迟缓,Fab制程要比台
积电慢半拍, NAND上和MU合作搞96层,预计明年才能搞出来,而三星的96层早就出来
了。
反正intel在NAND的市场份额有限,所以从它的角度看,找紫光合作, 以紫光的国产爱
国牌子进入中国市场, 也是有大利可图的,双方可以说各有所图,一拍即合,就是不
知道在目前的氛围下,美国政府允许不允许市场换技术。

作为
m***a
发帖数: 1407
15
2018-04-20 鼎盛微胖 讲武堂
声明:除《踢馆》外,讲武堂所刊登文章均为授权转载,目的是提供多样化看问题的视
角,不代表堂主完全认同文章观点
原标题:我所了解的中国电子元器件行业
最近中兴公司被美国政府禁售电子元器件,面临灭顶之灾,网上对我国的电子元器件行
业的讨论突然多了起来,各种自媒体也批量制造大批文章,但是很多消息并不准确,我
觉得我应该写点什么了。
本人是无线电专业本科,留学的通讯硕士专业,近二十年都做通讯行业的研发和管理工
作,以软件为主,硬件也长期接触供应链,平时注意搜集电子元器件行业的新闻,所以
有一些心得。由于本人实际上不属于电子元器件行业,文章中有差错在所难免,不过我
相信大方向是不会错的。另外,我推荐大家看深圳宁南山的微博文章,他对中国的各个
工业行业,尤其是IT电子业的资料搜集和思考是比较全面的。
总体来说,我国电子元器件行业近年来进步很大,尤其在军用电子元器件上,但是行业
整体仍然面临很多挑战,不缺钱,主要缺技术积累,缺人才,仍然需要很长时间才能赶
上世界先进水平。对我国电子元器件行业的前景,我是谨慎乐观的。
1. 什么是电子元器件
电子元器件所包含的产... 阅读全帖
w*********g
发帖数: 30882
16
来自主题: Military版 - IGBT中国技术不差
IGBT中国技术不差,差距在于产业化
科工力量
欢迎关注“科工力量”微博、微信公众号昨天 08:26
(文/ 铁流)
由于中国IGBT需要大量进口,而这个产业又被西方国家把持,对于中国正在大力发展的
高铁和新能源汽车来说是一个潜在的威胁。不过,在IGBT技术上,中国其实并不差,大
量依赖进口,并非技术水平不行。
造成大量进口国外产品的局面,只是因为商业上和其他一些原因。
IGBT市场基本被外商垄断
IGBT英文全称是Insulated Gate Bipolar Transistor,也就是绝缘栅双极型晶体管。
最初是为了解决MOSFET的高导通压降而难于制成兼有高压和大电流特性的功率器件,以
及GTR的工作频率低、驱动电路功率大等不足而研制的双机理复合器件。
由于IGBT集MOSFET和GTR的优点于一体,具有开关速度快、热稳定性好、驱动电路简单
、驱动电流小、通态压降小、耐压高及承受电流大等优点,因此在电机控制和开关电源
,以及要求快速、低损耗的应用领域广泛使用。无论是民用领域的轨道交通、新能源汽
车、白色家电,还是工业控制、智能电网、国防军工,都离不开IGBT。
然而,就是这样一种... 阅读全帖
t******e
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17
那时中国有个鸟的存储产业。
谁打击谁啊,卖得好就一窝风扩产,过剩了就贱卖,这玩意就是周期性的, 谁成本高
,或资本不够就垮台, 日本的DRAM存储就垮了,台湾DRAM存储也差不多垮了,就剩2-3
个百分点的市场份额了,DRAM其它95%以上市场就samsung, SK和MU三家瓜分,没有竞争
了,价格自然涨上去了。
要是明年长江存储的NAND量产, 也就是32层多了个竞争,64/72/96层还是那6家(三星,
东芝,SK, WD,MU, intel),哦,现在是5家了,SK买了东芝NAND;至于DRAM,还是那
三家, 这5家和3家,在NAND和DRAM方面,去年就报到都在扩大产能。
现在又到了一窝风的时候了,过了1-2年,有周期性震荡下去是很正常,到时死了若干
家也正常,冬眠时就看谁的储备的粮食多了。
t******e
发帖数: 2504
18
来自主题: Military版 - Micron没在国內建厂?
存储市场,DRAM的需求很旺盛,价格一直没降下来,NAND有点疲软,价格自2018开年以
来,一直是往下降。
另外,NAND的产能,前6家去年都扩大了不少,今年和明年,都要陆续上96层,这也可
能是价格下降的另外原因,至于中国的紫光NAND,据说明年量产, 是32层,现在的分
析,一般认为紫光的加入影响不大,价格主要还是市场和目前主要产商的产能决定的。
p***n
发帖数: 17190
19
台灣不做三代前技術的賠錢貨啦...
https://www.digitimes.com.tw/tech/dt/n/shwnws.asp?id=0000506100_
aw9258j6l59q5p190o9f5
東芝發布新款96層3D NAND Flash 2018年正式量產
賴逸安 2017-06-30
全球NAND Flash大廠東芝(Toshiba)宣布已研發出採用堆疊96層製程技術的3D NAND
Flash產品,容量為32GB,預計2017年下半開始試產,2018年量產。
t******e
发帖数: 2504
20
来自主题: Military版 - 三星固态大降价,是在打压国产
三星是业界老大,占NAND市场份额近40%,Intel份额,我记得好像是个位数, 5%还是7
%, intel的各部门中,看过财报,就是 non-volatile memory 这个部门亏钱。
但intel也有它的优势,就是SCM(Storage-class memory), 有人说10年后SCM可能把
NAND完全取代, 但目前价格要比NAND高很多,intel的商品名是optane, 在企业级的
SSD市场占绝对优势, 另外一家能做SCM的,还是三星,商品名是Z-SSD。

发帖数: 1
21
来自主题: Military版 - 至2023年中国芯片自给率将达8%
集微网消息,自2005年以来中国大陆一直是集成电路最大的消费市场。根据IC
Insights最新报告显示,近年来中国目标大幅提升集成电路自给率的目标远未实现。
如下图所示,2018年中国集成电路产量仅占全球1550亿美元市场的15.3%,高于2013年
前的12.6%。IC Insights预测到2023年这一比例将提升至20.5%。
虽然年复合增长达到15%,但是2018年中国集成电路产值仅为238亿美元,增长基数较小
。2018年,SK海力士、三星、英特尔和台积电等是在大陆制造重要集成电路产品的主要
境外制造商。其中,SK海力士在大陆的300mm晶圆厂产能最大,每月满载产能达20万片
晶圆。
英特尔在大连的300mm晶圆厂(Fab 68于2010年10月下旬开始生产MCU)因为计划转为3D
NAND闪存产线,于2015年第三季度开始闲置,直到2016年第二季度。截止2018年12月
,英特尔大连工厂的满载产能达每月70000片300mm晶圆。
三星在2012年初获得韩国政府批准,在西安建设一个300mm NAND闪存晶圆厂,并于2014
年第二季度投产。三星在该工厂一期投资了23亿... 阅读全帖
t******e
发帖数: 2504
22
来自主题: Military版 - 这回该华为看三星哈哈笑了吧?
京东方今年初刚获得向苹果供货资格,不过,这个贸易战又增加了不确定性。
目前苹果的屏幕是三星和LG供应,都是韩国的,也都受日本禁令影响,不过,LG的中国
厂应该不受影响。
另外,存储DRAM 韩国三星和海力士2家占了全世界75%以上的市场份额,NAND也近半,
这俩价格本来是在下降之中,现在肯定要涨价了, 另外,NAND的另外2大厂,东芝和WD
的生产工厂失火,应该也会进一步导致NAND价格上扬。
t******e
发帖数: 2504
23
"海力士急了,要买下intel的大连工厂"
这与日本制裁似乎没太大关系,我在以前就说过,NAND的6个大厂商中,intel 一直亏
钱,而且它与micron的在NAND方面的合作已经结束了,intel 本来就有退出NAND市场的
意愿。
t******e
发帖数: 2504
24
就算长江存储的“将来”/“计划”/“可望”等,这次算是“可望”实行, 也是吃屎
都凑不到热的时候。
NAND的市场,去年初就开始降价了,到今年是加速下跌,NAND生产产家利润大减,比如
SK海力士Q2利润减少了88%,人家现在都是去产能来减少损失, Intel干脆就要卖出
NAND厂,退出这个市场。
也好,万一长江存储试产或量产掉了链子,正好可以用市场不好这个借口,这个借口,
他们去年已经用了一次了,那时市场还不是那么糟。
f***y
发帖数: 4447
25
在今天开幕的2019中国国际智能产业博览会上,紫光集团首次公开展示了长江存储64层
NAND Flash Wafer。据介绍,这是旗下长江存储第二代64层3D NAND,也是业内存储密
度最高的64层3D NAND芯片,每颗晶圆可以切割出超过1000颗裸晶片。
http://www.dostor.com/p/58799.html
p***n
发帖数: 17190
26
Thursday, August 8, 2019
NAND vendors and partners jockeyed for position at the 14th annual Flash
Memory Summit here. Samsung and SK Hynix said they will ship 3D chips with
more than 100 layers this year, while Toshiba debuted a low latency NAND it
hopes can eat into the market for DRAM.
講到吹牛
SK hynix plans to introduce 800+ layer stack NAND flash memory
t******e
发帖数: 2504
27
来自主题: Military版 - 中国即将建成的半导体工厂
第1. 是Xtacking, 不是Xstacking. 是3D-NAND的一种堆积方式。
第2. 报道都说是长江存储“功劳”,你不能把一顶帽子同时给2个人戴。
第3, 3D-NAND就是3D-NAND, 没有人说是3D芯片, 3D芯片一般是指逻辑芯片的立体堆积
,还有立体封装, 前者目前还不成熟,后者台积电一直声称自己做得最好。
f***y
发帖数: 4447
28
巴子ppt厉害。48跳96,再跳192
https://www.cnbeta.com/articles/tech/920895.htm
据悉,台湾非易失性存储厂商旺宏电子(Macronix)将在2020年下半年批量出货3D NAND
闪存,成为台湾地区第一家拿出自主设计3D NAND闪存的厂商。旺宏电子透露,首批出
货的3D NAND闪存为48层堆叠,并计划2021年出货96层,2022年再出货192层,逼近世界
顶级水平。——Intel将在明年量产144层闪存。

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29
三星目前已经成了中国智能手机行业崛起的最大现实障碍
苹果其实是让中国智能手机高度受益的公司,OPPO,VIVO,华为无一不在学习苹果,尤
其是OV两家公司,手机外观和界面已经对苹果达到了像素级模仿,在学习苹果的过程中
,中国公司不仅迅速的扩大了自己的市场份额,自身的设计和技术水平也得到了迅速的
提高,苹果可以说是中国智能手机行业前进的灯塔。
中国手机产业链现在最大的敌人是韩国,我们还是以中国智能手机的器件华为为例子,
2016年华为的利润被三星内存和屏幕疯狂的涨价坑惨了,下面是2016年11月华为宣布的
消息,华为2016年在韩国供应商采购金额高达45亿美元,增长了109%,按照2016年平均
6.8的汇率,就是306亿人民币,大大超过了华为对日本供应商的采购金额,占到了2016
年华为总营收大约5200亿人民币的5.88%.
更为重要的是疯狂的增长,2016年华为总体营收增幅仅为32%, 其中包含了手机业务的
消费者业务营收增长为42%, 而对韩国供应商的采购金额却猛增了109%,这大大的侵蚀
了华为的利润。
华为集团2016年营收为5200亿人民币,比上年的增量为1250亿人民币,... 阅读全帖

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30
三星目前已经成了中国智能手机行业崛起的最大现实障碍
苹果其实是让中国智能手机高度受益的公司,OPPO,VIVO,华为无一不在学习苹果,尤
其是OV两家公司,手机外观和界面已经对苹果达到了像素级模仿,在学习苹果的过程中
,中国公司不仅迅速的扩大了自己的市场份额,自身的设计和技术水平也得到了迅速的
提高,苹果可以说是中国智能手机行业前进的灯塔。
中国手机产业链现在最大的敌人是韩国,我们还是以中国智能手机的器件华为为例子,
2016年华为的利润被三星内存和屏幕疯狂的涨价坑惨了,下面是2016年11月华为宣布的
消息,华为2016年在韩国供应商采购金额高达45亿美元,增长了109%,按照2016年平均
6.8的汇率,就是306亿人民币,大大超过了华为对日本供应商的采购金额,占到了2016
年华为总营收大约5200亿人民币的5.88%.
更为重要的是疯狂的增长,2016年华为总体营收增幅仅为32%, 其中包含了手机业务的
消费者业务营收增长为42%, 而对韩国供应商的采购金额却猛增了109%,这大大的侵蚀
了华为的利润。
华为集团2016年营收为5200亿人民币,比上年的增量为1250亿人民币,... 阅读全帖

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31
反韩运动结硕果:韩国政府要求三星重新考虑在华投资,优先在本国建设存储芯片工厂
仰仗今年二季度约71.8亿美元的芯片业务利润,三星已经超越英特尔,夺得全球芯片产
业的头把交椅。
为了继续巩固其在存储芯片市场的统治地位,三星电子曾于8月29日宣布在未来3年投资
70亿美元,扩大其在中国西安工厂的NAND Flash存储芯片产能。
然而事情的发展远不如三星预想的一帆风顺。韩国媒体Electronic Times称,韩国新任
产业通商资源部长Paik Ungyu,要求三星电子CEO兼副会长权五铉重新考虑在中国西安
投资建厂的计划,平添变数。
三星电子股价早盘高开低走,一度跌近0.2%。
担心“萨德”入韩殃及池鱼 韩政府要求三星电子优先在本国建厂
据Electronic Times,Paik的这一要求,是在周一(9月18日)会晤韩国芯片和电子产
业集团高管时,对权五铉直接提出的。
产业通商资源部在韩国国家实体经济当中的地位举足轻重,统管韩国产业、资源、贸易
等方面政策,并积极动用国家资金扶持本土产业技术,三星、现代、LG、SK等韩国财阀
过去的惊人扩张,与产业通商资源部的大力支持是分不开的。
半... 阅读全帖

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来自主题: Military2版 - 至2023年中国芯片自给率将达8%
集微网消息,自2005年以来中国大陆一直是集成电路最大的消费市场。根据IC
Insights最新报告显示,近年来中国目标大幅提升集成电路自给率的目标远未实现。
如下图所示,2018年中国集成电路产量仅占全球1550亿美元市场的15.3%,高于2013年
前的12.6%。IC Insights预测到2023年这一比例将提升至20.5%。
虽然年复合增长达到15%,但是2018年中国集成电路产值仅为238亿美元,增长基数较小
。2018年,SK海力士、三星、英特尔和台积电等是在大陆制造重要集成电路产品的主要
境外制造商。其中,SK海力士在大陆的300mm晶圆厂产能最大,每月满载产能达20万片
晶圆。
英特尔在大连的300mm晶圆厂(Fab 68于2010年10月下旬开始生产MCU)因为计划转为3D
NAND闪存产线,于2015年第三季度开始闲置,直到2016年第二季度。截止2018年12月
,英特尔大连工厂的满载产能达每月70000片300mm晶圆。
三星在2012年初获得韩国政府批准,在西安建设一个300mm NAND闪存晶圆厂,并于2014
年第二季度投产。三星在该工厂一期投资了23亿... 阅读全帖
z****e
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Marvell Storage & Networking Software group is currently looking for a
Firmware Engineer. Following are job descriptions and requirements, anyone
interested is welcome to leave a message to my 站内信, I'll then give you an
email address for you to send your Resume/CV to. Your Resume/CV will be
forwarded to the Hiring Manager.
Job Title: Engineer, Firmware
Qualifications:
- MS degree in EE/CS, Firmware/Embedded development experience in data
storage devices like NAND Flash. New grads or ... 阅读全帖
q****e
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来自主题: Stock版 - 也说说MU吧
手里没有具体的数据,随便放狗搜了一下:
这是2013年Q2的
“We shipped roughly 1.3 million solid state drives in our second quarter,
up over 40% when compared to our first quarter. In Q2, SSDs represented 20%
of our trade NAND business. If you include NAND component sales to SSD
providers, around 40% of our trade NAND bits go into solid state drives,”
said Mark Adams, the president of Micron, during the quarterly conference
call with financial analysts.
他们家自己的牌子叫crucial
F****s
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来自主题: Stock版 - iPhone 6 Plus recall rumor
Apple May Have a Huge iPhone 6 Plus Recall on its Hands
BY TODD HASELTON | NOVEMBER 4, 2014
Apple pretty much dismissed any concerns with iPhone 6 Plus bending, even
though there’s plenty of proof that, given enough pressure, the phone does
indeed bend. We haven’t experienced that under normal usage situations,
however, and that problem seems to have mostly quieted down. Still, Apple
may be facing a much bigger headache that one media outlet suggests could
result in a massive recall of iPhone 6 ... 阅读全帖

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三星目前已经成了中国智能手机行业崛起的最大现实障碍
苹果其实是让中国智能手机高度受益的公司,OPPO,VIVO,华为无一不在学习苹果,尤
其是OV两家公司,手机外观和界面已经对苹果达到了像素级模仿,在学习苹果的过程中
,中国公司不仅迅速的扩大了自己的市场份额,自身的设计和技术水平也得到了迅速的
提高,苹果可以说是中国智能手机行业前进的灯塔。
中国手机产业链现在最大的敌人是韩国,我们还是以中国智能手机的器件华为为例子,
2016年华为的利润被三星内存和屏幕疯狂的涨价坑惨了,下面是2016年11月华为宣布的
消息,华为2016年在韩国供应商采购金额高达45亿美元,增长了109%,按照2016年平均
6.8的汇率,就是306亿人民币,大大超过了华为对日本供应商的采购金额,占到了2016
年华为总营收大约5200亿人民币的5.88%.
更为重要的是疯狂的增长,2016年华为总体营收增幅仅为32%, 其中包含了手机业务的
消费者业务营收增长为42%, 而对韩国供应商的采购金额却猛增了109%,这大大的侵蚀
了华为的利润。
华为集团2016年营收为5200亿人民币,比上年的增量为1250亿人民币,... 阅读全帖
a****1
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讨论一下, 有没有可能, 技术能不能过关?
网上的消息, 1)我鳖大规模投资三大存储器厂商
2)因为我鳖大规模投资, Mu 还有三星 等国际大厂都暂停产能扩建。现
在看来, 2018内存颗粒也是远远供不应求。
目前国内三大存储器厂商正处于紧锣密鼓的施工阶段,预计2018上半年陆续进入设备安
装阶段,新一轮的设备入厂调试安装大戏即将上演。
国内三大存储器厂商
1)长江存储: 由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投
共同投资建设的国家存储器基地项目,在武汉东湖高新区正式动工建设。该项目总投资
240亿美元,主要生产存储器芯片,总占地面积1968亩。
这一项目即将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发
大楼和其他若干配套建筑,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。
项目一期计划2018年建成投产,2020年完成整个项目,总产能将达到30万片/月,年产
值将超过100亿美元。
目前,长江存储32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试,达到预期要求。
预计2018年实现量产,并于... 阅读全帖

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来自主题: Stock版 - 半导体这波cycle走完了
楼主的跳跃式推理有问题,memory生产设备减产不直接意味着memory需求减少。
Lam Research Corp. shares fell Thursday after an analyst (C.J. Muse) said
the semiconductor equipment maker’s near-term shipment outlook appeared to
be facing challenges.
The reason for the decline appears to be related to production delays of 3-D
NAND and DRAM memory chips at Samsung
“Good news – the pushouts speak to greater focus on profitability by
memory makers, so we view this pause as only temporary,” Muse noted.
Despite strong demand in DRAM and ... 阅读全帖
Q*K
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又是苹果惹的祸。近日,苹果在公布了让业界眼花缭乱的季度财报后突然将注意力放回
了起家的电脑市场,宣布推出了全新的MacBookAir系列超轻薄笔记本产品以及MacOS新版
本。值得注意的是,此次苹果一反之前将Air笔记本定价高高在上的做法,将入门级型号
的售价定在了999美元(约合人民币 6670元)的关口,从而将该类产品的市场门槛直接拉
到了万元以下,再度引起了市场的高度关注。
低价引发市场动荡
作为苹果旗下的重要产品线之一,MacBook笔记本电脑产品的市场关注度虽然没有它的
iPhone、iPad那么高,但是影响力也同样不凡。尤其是在欧美主流PC市场, 近年来苹果
笔记本市场的份额一直处于飙升状态。不过,在超轻薄笔记本市场,苹果则一直少有表现
,虽然两年前就推出了MacBookAir笔记本产品,但是高高在上的售价却未能在市场中引发
预期中的销售热潮。但是这一次不同,新款Air笔记本的发布在提升工业设计和软件应用
的同时,还将价格作为致命武器推出,这使得业界同行的压力大增。据记者在广州太平洋
电脑城了解的情况显示,目前市场上超轻薄笔记本电脑产品的主流价格仍然在1万元以上
,仅有主打... 阅读全帖
z***9
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来自主题: TVGame版 - 终于把xbox给jtag了
only first 50 blocks. the reason is that you need to write a 50-block xell
image in order to get cpu key (that is most important key). so it is
necessary to backup the first 50 blocks. once you get xell to run, you can
always boot linux to do many other things (for speed and accuracy),
including a backup of the nand after 50 blocks, then merge them together for a complete nand image.
actually you do not need a nand image backup if you do not care, as long as
you have KV.bin and rawconfig.bin fr
C***J
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来自主题: TVGame版 - wii 成砖头了
如果你装有PreLoader,BootMII备份了Nand。
还是有可能恢复的。
Using BootMii
Requires:
NAND backup
BEFORE the Wii bricks
It's advised to backup your NAND right after you install BootMii.
boot2
If you installed BootMii as boot2, then simply go to the second options
screen and choose the second icon which can recover from the brick.
IOS
If you installed BootMii as part of an IOS, then you will need Preloader
installed. Go to the HBC via Preloader, then select Launch BootMii from the
main menu.
if you have Preloader ins... 阅读全帖
s***q
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来自主题: Hardware版 - Intel即将发布25nm的第三代SSD
Micron and Intel are expected to announce 25nm NAND flash memory
technology on Monday. The companies are apparently already sampling a 25nm
8GB device; mass production is expected in 1H this year. Current NAND
flash devices are based on 34nm flash, which was introduced in 2008.
Using a 25nm process, an 8GB chip is smaller than a penny and can be used
in basically anything that uses flash memory (cell phones, MP3 players,
flash drives, memory cards, and so on). In addition, moving to 25nm NAND
fl
t*****s
发帖数: 1309
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来自主题: Hardware版 - 看来ssd还是买intel吧
很合理,因为读不需要给NAND的page加电,不损耗寿命
需要注意的是,由于NAND每一个page能承受的写量是一定的,容量大了一倍,寿命就长
了一倍,这个测试只是为了解决担心40G小容量盘寿命的问题。但是这个只是NAND寿命
,现在挂掉的盘,真正写寿命到限挂的太少了,大部分是主控不稳定挂掉的。
c******y
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来自主题: Hardware版 - FS: 出个intel x25-v 40GB 支持trim
既然是“顺着我说”,那就顺着我说的来科普吧,不用自由发挥净举些非处的例子,多点有依据的
数据就行了
“nand故障率低,那是正当使用的前提下的”,出处在哪里?何谓“正当使用”?
“nand写挂了,intel是不给保修的”,出处在哪里?
“intel的ssd就一个好处”,其他ssd也能查到写入多少的记录,莫非阁下不知道?
再者,如果是有心购买的坛友,我自然可以提供写入信息。
至于你,还是先理清主控、nand损坏率再来喷。言必称写入量除了显示自己爱喷,无它尔
A*****s
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咱肤浅,一直觉得ssd里的损耗件是nand
一直窃以为主控的损耗率比起nand来是个零头
百度了一下也没发现任何文章提到主控本身的寿命
请问这是一门什么高深的学问?
难道ssd的主控会在nand还没读写挂的时候就被磨挂了?
谢谢!
t*****s
发帖数: 1309
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来自主题: Hardware版 - Kingston 128GB SSDNow V100 $128 AR
NAND有关系的,需要把write caching给disable了再跑就能看出差别,但是浴室用的是
M4做例子,这个主控能力很强,等于主控把缓存数据进行了NCQ,所以NAND没有成为瓶
颈。但是像这种低能力的主控对NAND速率还是有依赖,这个从侧面说明为什么它们的延
迟也更高。
d********e
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其实也没什么特别神秘的,就是主控 + NAND。
主控方面,SandForce 存在稳定性和速度虚标的问题被人诟病。虚标主要是指对无法压
缩的数据,SF根本无法达到所号称的速度。而Marvel主控对压缩和不压缩数据则不敏感
。另外,OCZ还出过用ES(engineering sample)主控的事件。
NAND方面,存在质量,性能,寿命,制程等差异。OCZ这样的JS还在NAND上做文章,以
次充好。
把这两者结合起来,加上JS急于占领市场,对产品的稳定测试和质量控制防水,才把
SSD市场搞成现在这样的局面。即使Intel这样的厂商也出了“8mb”事件。
建议去pceva多逛逛,多看文章很多问题自然有解。
http://www.pceva.com.cn/
http://bbs.pceva.com.cn/forum-26-1.html
尤其推荐最近的一篇:
所有Intel颗粒品质都好?对采用Intel颗粒的SSD品质的质疑
http://www.pceva.com.cn/html/2011/storagetech_1110/345.html
d********e
发帖数: 1468
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8MB是主控固件问题这个是官方说法。
你还是没仔细看我贴的文章。重点在第二页。
还是NAND的问题。想也想得出来,主控上一代用在34nm上好好的。新旧两代其实就是
NAND换了,然后问题也出来了。说是主控的问题?打死也不信。
事实真相是,intel想用主控这一头来弥补NAND差劲的缺陷,没想到主控没法handle。
l******a
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Steve Appleton 2012年2月 突然因飞机失事遇难。还好镁光有SSD产业,著名的物美价
廉的 Crucial M4 SSD,应该还能支撑很久。
11年白忙一场 台湾DRAM启示录
52RD.com 2012年3月19日 商業周刊            评论:1条 查看 我
来说两句
这一次,台湾该跟DRAM说Bye Bye了吗?
这个问题,将反复出现在这篇文章里,无论是投资者、政府官员,还是社会大众,
都该想想,台湾从2001年世界先进退场,不再研发自有技术后,这过去11年的DRAM发展
历程,究竟为台湾留下了什么?
2012年2月27日,全球第四大DRAM制造厂,日本尔必达(Elpida)公司无预警向东
京地区法院声请破产保护。这,意味着日本经济产业省不再支持背负4480亿日元巨债的
尔必达。
第二天,台湾相关半导体厂股价全数重挫。2月29日,经济部长施颜祥火速宣布,
将透过三大策略协助DRAM产业,包括研发经费补助,提供金融支持,并协助上、中、下
游整合。政府将再一次对DRAM业提供融资协助。
关键数字一:投资9000亿,报酬率却是-25%
故事的情节和2008年时... 阅读全帖
i***l
发帖数: 9994
50
另外一个例子:
http://www.makeuseof.com/tag/ultrabook-performance-degrades-tim
Have you noticed your Solid State Drive (what’s an SSD?) suffering from
slipping performance? If Samsung made your drive, it probably employs “
Triple Level Cell” (TLC) NAND memory modules. A bug afflicts most–if not
all–TLC drives. Fortunately, Samsung made a fix available for one of their
drives to Windows users.
The problem: After 9-40 weeks, the SSD’s legendary speed can fall beneath
even platter-based hard drives. After... 阅读全帖
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