w********o
发帖数: 10088 | 1 最近玩这个，发现不靠谱
InGaP/GaAs结构的band diagram模拟出来尽然是type-II的junction，算p-n节的
depletion width也差老鼻子了，跟手动套公式算的差太多
另外meshing也很tricky，动不动就不converge。写信给silvaco公司的人，把结构发给
他们，让他们算。今天收到回信，用附件的script跑了一遍，current算出来比实际情
况高了1e5倍，太不靠谱了。band diagram问题还是没结局。 |
H*****l
发帖数: 702 | |
a*******i
发帖数: 11664 | 3 要不我用sentaurus给你看看？XD
【在 w********o 的大作中提到】
: 最近玩这个，发现不靠谱
: InGaP/GaAs结构的band diagram模拟出来尽然是type-II的junction，算p-n节的
: depletion width也差老鼻子了，跟手动套公式算的差太多
: 另外meshing也很tricky，动不动就不converge。写信给silvaco公司的人，把结构发给
: 他们，让他们算。今天收到回信，用附件的script跑了一遍，current算出来比实际情
: 况高了1e5倍，太不靠谱了。band diagram问题还是没结局。
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w********o
发帖数: 10088 | 4 你度假回来了？
回头我把structure发给你瞧瞧
【在 a*******i 的大作中提到】
: 要不我用sentaurus给你看看？XD
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q****e
发帖数: 793 | 5 Silvaco免费么？
【在 w********o 的大作中提到】
: 最近玩这个，发现不靠谱
: InGaP/GaAs结构的band diagram模拟出来尽然是type-II的junction，算p-n节的
: depletion width也差老鼻子了，跟手动套公式算的差太多
: 另外meshing也很tricky，动不动就不converge。写信给silvaco公司的人，把结构发给
: 他们，让他们算。今天收到回信，用附件的script跑了一遍，current算出来比实际情
: 况高了1e5倍，太不靠谱了。band diagram问题还是没结局。
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w********o
发帖数: 10088 | 6 ask for a trial version
【在 q****e 的大作中提到】
: Silvaco免费么？
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s*******l
发帖数: 146 | 7 这个需要自己校正每个材料的电子亲和势。silvaco的database有很多都不准。
【在 w********o 的大作中提到】
: 最近玩这个，发现不靠谱
: InGaP/GaAs结构的band diagram模拟出来尽然是type-II的junction，算p-n节的
: depletion width也差老鼻子了，跟手动套公式算的差太多
: 另外meshing也很tricky，动不动就不converge。写信给silvaco公司的人，把结构发给
: 他们，让他们算。今天收到回信，用附件的script跑了一遍，current算出来比实际情
: 况高了1e5倍，太不靠谱了。band diagram问题还是没结局。
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H*****l
发帖数: 702 | 8 that is exactly what i told wokaowokaowokao over phone...
silvaco puts nonsense default value in all kinds of materials except for
silicon
【在 s*******l 的大作中提到】
: 这个需要自己校正每个材料的电子亲和势。silvaco的database有很多都不准。
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a*******i
发帖数: 11664 | 9 sentaurus也是，都tmd什么垃圾参数，连Eg都不对
【在 H*****l 的大作中提到】
: that is exactly what i told wokaowokaowokao over phone...
: silvaco puts nonsense default value in all kinds of materials except for
: silicon
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j**y
发帖数: 7014 | 10 Eg不对有点过了吧
这tmd的也能卖钱？
【在 a*******i 的大作中提到】
: sentaurus也是，都tmd什么垃圾参数，连Eg都不对
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q****e
发帖数: 793 | 11 sentaurus有时候直接default上si参数。。。
所以我一般用的时候都把参数文件打开来仔细看看
【在 a*******i 的大作中提到】
: sentaurus也是，都tmd什么垃圾参数，连Eg都不对
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S****d
发帖数: 298 | 12 请问如何在Sentaurus parameter database中添加新衬底材料、杂质及其力热电参数？
多谢。
【在 q****e 的大作中提到】
: sentaurus有时候直接default上si参数。。。
: 所以我一般用的时候都把参数文件打开来仔细看看
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q****e
发帖数: 793 | 13 有个文件叫 datexcodes.txt，我一般是把他拷到simulation的那个文件夹里
要新建什么材料的话把一些信息先加进这个文件，要不然系统不认，照着里面的格式加
就可以了
材料的参数一般都在.par文件里，在里面改就可以了，一般常用的model里面都有，改
参数就可以了，有些model的参数里面没有，那就只能看manual了，照着manual里写的
往里面加
【在 S****d 的大作中提到】
: 请问如何在Sentaurus parameter database中添加新衬底材料、杂质及其力热电参数？
: 多谢。
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S****d
发帖数: 298 | 14 那么比如说我现在加进去了InGaAs，我还想加进去杂质材料，比如datexcodes里的Si，这个是不是还要改parameter database，因为database里面InGaAs的文件系统还没建立起来? 改了database要怎样做才能让系统接收更新呢？谢谢。
【在 q****e 的大作中提到】
: 有个文件叫 datexcodes.txt，我一般是把他拷到simulation的那个文件夹里
: 要新建什么材料的话把一些信息先加进这个文件，要不然系统不认，照着里面的格式加
: 就可以了
: 材料的参数一般都在.par文件里，在里面改就可以了，一般常用的model里面都有，改
: 参数就可以了，有些model的参数里面没有，那就只能看manual了，照着manual里写的
: 往里面加
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q****e
发帖数: 793 | 15 你是说你要改里面的dopant吗？我一般就用complete ionization,如果要用incomplete
，又不想用系统自带的dopant的话可以加到datexdodes里。不过方法跟加材料不一样点
。加材料的话是加在material那个section里，dopant是加到variables那个section里
，一般是在datexcodes.txt的后面部分。
，这个是不是还要改parameter database，因为database里面InGaAs的文件系统还没建
立起来? 改了database要怎样做才能让系统接收更新呢？谢谢。
【在 S****d 的大作中提到】
: 那么比如说我现在加进去了InGaAs，我还想加进去杂质材料，比如datexcodes里的Si，这个是不是还要改parameter database，因为database里面InGaAs的文件系统还没建立起来? 改了database要怎样做才能让系统接收更新呢？谢谢。
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S****d
发帖数: 298 | 16 我想做扩散仿真，用Sentaurus Process
incomplete
【在 q****e 的大作中提到】
: 你是说你要改里面的dopant吗？我一般就用complete ionization,如果要用incomplete
: ，又不想用系统自带的dopant的话可以加到datexdodes里。不过方法跟加材料不一样点
: 。加材料的话是加在material那个section里，dopant是加到variables那个section里
: ，一般是在datexcodes.txt的后面部分。
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: ，这个是不是还要改parameter database，因为database里面InGaAs的文件系统还没建
: 立起来? 改了database要怎样做才能让系统接收更新呢？谢谢。
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a*******i
发帖数: 11664 | 17 on III-V？
【在 S****d 的大作中提到】
: 我想做扩散仿真，用Sentaurus Process
:
: incomplete
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q****e
发帖数: 793 | 18 这个还真没玩过，太高级了，用不上哈哈
【在 S****d 的大作中提到】
: 我想做扩散仿真，用Sentaurus Process
:
: incomplete
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S****d
发帖数: 298 | 19 但还是要谢谢，学到了device仿真的东西，有机会大家以后多讨论哪
【在 q****e 的大作中提到】
: 这个还真没玩过，太高级了，用不上哈哈
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w********o
发帖数: 10088 | 20 Si的肯定没问题，十年前tsupreme就可以干这个了
sentaurus既然是从tsupremem和medici变过来的，应该也没啥问题
III-V的过了这么多年，也该能做了吧，毕竟只是物理参数不同
【在 S****d 的大作中提到】
: 我想做扩散仿真，用Sentaurus Process
:
: incomplete
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a*******i
发帖数: 11664 | 21 no, III-V process is very different, I won't trust TCAD, esp the diffusion
process
【在 w********o 的大作中提到】
: Si的肯定没问题，十年前tsupreme就可以干这个了
: sentaurus既然是从tsupremem和medici变过来的，应该也没啥问题
: III-V的过了这么多年，也该能做了吧，毕竟只是物理参数不同
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S****d
发帖数: 298 | 22 Yes, III-V process is tough.
【在 a*******i 的大作中提到】
: no, III-V process is very different, I won't trust TCAD, esp the diffusion
: process
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H*****l
发帖数: 702 | 23 他们到现在就是 GaAs 和GaP的 diffusion 模型靠谱把
【在 a*******i 的大作中提到】
: no, III-V process is very different, I won't trust TCAD, esp the diffusion
: process
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