I***a
发帖数: 704 | 1 结型FET 和 耗尽型MOSFET的区别 是什么？
http://www.go-gddq.com/html/2006-05/402467p6.htm
怎么好像n-channel结型FET 和 耗尽型MOSFET的转移曲线差不多啊.
n-channel结型FET 的gate 不能是正电压吗？
谢谢。 |
w********o
发帖数: 10088 | 2 jfet由于用的是p-n节,channel里有doping,电子迁移率会受影响. mosfet不一定有这个
问题
都是场效应管,光看转移曲线没什么用吧
【在 I***a 的大作中提到】
: 结型FET 和 耗尽型MOSFET的区别 是什么？
: http://www.go-gddq.com/html/2006-05/402467p6.htm
: 怎么好像n-channel结型FET 和 耗尽型MOSFET的转移曲线差不多啊.
: n-channel结型FET 的gate 不能是正电压吗？
: 谢谢。
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b*********y
发帖数: 830 | 3 google is ur best friend.
JFET is junction based. it modulates the depletion region of the junction to
control the lateral current. carrier is majority carrier.
used in process where good oxide material is not available, like GaAs.
MOSFET modulates the current by creating an inversion region underneath. it
creats an n channel in a p material in the case of NMOS. |
I***a
发帖数: 704 | 4 n-channel结型FET 的gate 不能是正电压吗？
to
it
【在 b*********y 的大作中提到】
: google is ur best friend.
: JFET is junction based. it modulates the depletion region of the junction to
: control the lateral current. carrier is majority carrier.
: used in process where good oxide material is not available, like GaAs.
: MOSFET modulates the current by creating an inversion region underneath. it
: creats an n channel in a p material in the case of NMOS.
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y****y
发帖数: 179 | 5 不能超过pn结的导通电压+0.7V
【在 I***a 的大作中提到】
: n-channel结型FET 的gate 不能是正电压吗？
:
: to
: it
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H*****l
发帖数: 702 | 6 拜牛人
他们已经和SVTA谈好了
还找了y校的AP一起忽悠
【在 w********o 的大作中提到】
: jfet由于用的是p-n节,channel里有doping,电子迁移率会受影响. mosfet不一定有这个
: 问题
: 都是场效应管,光看转移曲线没什么用吧
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w********o
发帖数: 10088 | 7 svta要价可真不低啊
我这里整不了p-type的，不然送你lp几片都行
【在 H*****l 的大作中提到】
: 拜牛人
: 他们已经和SVTA谈好了
: 还找了y校的AP一起忽悠
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