C*E
发帖数: 785 | 1 各位大牛小牛们,
最近在读些HCI effect和MOSFET lifetime相关的paper, 发现很多paper直接用了 "10%
reduction in drain current", 即 "Delta_Id / Id = 10%" 条件 作为计算MOSFET寿
命的标准. 请问是否有人了解这个10%标准出处何在? 又及, 10%标准下只是MOSFET
degradation达到不可靠的程度, 这时的MOSFET failure rate又是如何? 例如, 在普通
logic gate中, 某FET degrade到这个程度, 未发生击穿, 应该还是可以用的吧?
多谢赐教. | ET
发帖数: 10701 | 2 10％ is from JEDEC standard, as I remembered.
breakdown 分成soft breakdown and hard breakdown. soft breakdown多指"器件性能
变差，但还能用", hard breakdown就是彻底击穿不能用，所以就有failure rate.
工业界出的产品，一般（好吧，有些有）都有做JEDEC标准测试的，会给出这些测量数
据，还有其它更多与可靠性相关的测试；另外foundry也会给这些测试数据。一般都是
有stress的数据来预计device的寿命。
reliability的主要是用于寿命预测的，在预测的寿命年限内，用还是可以用的。
10%
【在 C*E 的大作中提到】
: 各位大牛小牛们,
: 最近在读些HCI effect和MOSFET lifetime相关的paper, 发现很多paper直接用了 "10%
: reduction in drain current", 即 "Delta_Id / Id = 10%" 条件 作为计算MOSFET寿
: 命的标准. 请问是否有人了解这个10%标准出处何在? 又及, 10%标准下只是MOSFET
: degradation达到不可靠的程度, 这时的MOSFET failure rate又是如何? 例如, 在普通
: logic gate中, 某FET degrade到这个程度, 未发生击穿, 应该还是可以用的吧?
: 多谢赐教.
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