r*********e
发帖数: 281 | 1 用MOSFET/IGBT做motor drive或者power supply的switch
threshold voltage一般要多少？ |
j***j
发帖数: 324 | 2 各个功率＆电压等级的不一样。
一般1.x - 2伏左右，但给更高的电压rds会更小。
【在 r*********e 的大作中提到】
: 用MOSFET/IGBT做motor drive或者power supply的switch
: threshold voltage一般要多少？
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r*********e
发帖数: 281 | 3 要不要考虑noise margin
比如一个1KV的transistor
在Vds=1kV, Vgs=0.5V时是complete pinch-off
Vgs>0.5V, Id就会指数上升
会不会因为一点noise, 导致transistor unintentionally turn-on, 给烧掉?
多谢多谢!
【在 j***j 的大作中提到】
: 各个功率＆电压等级的不一样。
: 一般1.x - 2伏左右，但给更高的电压rds会更小。
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j***j
发帖数: 324 | 4 高压mos thres会高一些，而且一般都要加driver电路，会有pull down的resistor的。
【在 r*********e 的大作中提到】
: 要不要考虑noise margin
: 比如一个1KV的transistor
: 在Vds=1kV, Vgs=0.5V时是complete pinch-off
: Vgs>0.5V, Id就会指数上升
: 会不会因为一点noise, 导致transistor unintentionally turn-on, 给烧掉?
: 多谢多谢!
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r*********e
发帖数: 281 | 5 假设(仅仅是假设,呵呵)off-state leakage和breakdown一样
是不是3V的threshold并不比0.5V的threshold好
【在 j***j 的大作中提到】
: 高压mos thres会高一些，而且一般都要加driver电路，会有pull down的resistor的。
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f*****0
发帖数: 489 | 6 mosfet switchers are typically driven to 7v or 10v Vgs. That's how most of
the drivers are design for.
in linear applications, most of them (vertical mosfets) start to conduct at
3.5v Vgs. Lateral mosfets tend to conduct at much lower Vgs, as does logic-
level vertical mosfets. |
g******u
发帖数: 3060 | 7 一般在稍高压的电路我都不推荐可以接受很低gate voltage的FET.
你的频率是多少？这是关键。
高压高频率（例如100k Hz, 3A)的驱动，除了电压以外，gate current是关键，这就是
为什么有很多gate drive chip的原因（相当于一个放大电路）。如果电流太低（例如
你直接用micro的输出），switching noise 会高到难以忍受的地步，mosfet也很可能
烧坏。建议去IR看看他们的技术资料，很详细。 |
g******u
发帖数: 3060 | 8 threshold其实没什么关系，power mosfet应该都不低？ |
f*****0
发帖数: 489 | 9 "如果电流太低（例如你直接用micro的输出），switching noise 会高到难以忍受的地
步，mosfet也很可能烧坏。"
most power mosfet switchers have high gate area, thus high gate charge.
if driven with a high output impedance device, it will take a long time to
remove all the gate charges. As a result, the device will stay in linear
region longer, this will significantly increase its power dissipation.
thus, you will need a driver chip capable of high (peak) current output to
quickly remove and charge up the gate "capacitor". |
r*********e
发帖数: 281 | 10 如果我有个KV power MOSFET Design
相同的breakdown, 比如1.2kV
相同的on-resistance
相同的current density
但是threshold是0.8V, 而不是传统的3V以上
好处是switching loss小,工作频率也可以高一点
会不会因为threshold不够高,有什么坏处?
多谢各位高手解惑
【在 g******u 的大作中提到】
: threshold其实没什么关系，power mosfet应该都不低？
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f*****0
发帖数: 489 | 11 if you are working at high frequency and with high power mosfets, you must
be using a driver with very low output impedance.
in that case, you will be unlikely to be impacted by interference. |
g******u
发帖数: 3060 | 12 最好的办法是买不同的几个chip,然后做实验比较一下。
如果某种high power mosfet真有很低thresold的话，我觉得gate capacitance
discharge的时候会继续turn on mosfet, 所以你的gate drive signal 最好不是50%
each, 而是有点delay.
有点要注意的是high side, low side要接两个schottky到Vd. 如果你驱动的是电感性
的东西。
【在 r*********e 的大作中提到】
: 如果我有个KV power MOSFET Design
: 相同的breakdown, 比如1.2kV
: 相同的on-resistance
: 相同的current density
: 但是threshold是0.8V, 而不是传统的3V以上
: 好处是switching loss小,工作频率也可以高一点
: 会不会因为threshold不够高,有什么坏处?
: 多谢各位高手解惑
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p*******e
发帖数: 45 | 13 你可以参考一下Baliga的“power semiconductor device”里面的power MOSFET, dV/
dt capability。如果Vt太小，而且Gate driver的output resistance偏大的话，并且
你的Cgd比较大，那么high speed switching的时候，对Cgd的charging and
discharing current会导致你的power switch关不断（ic*Rg > Vt)。
所以，Vt应该大些，但是对于某些器件，Vt太大，可能Ron会受影响。对于你的0.8V Vt
，也许可以通过改进gate drive，提供一些negative gate voltage，这样的drive应该
可以解决你的问题。
如果是GaN的heterojunction power device，switching speed能有多快？current collapse的问题搞定了吗？
【在 r*********e 的大作中提到】
: 如果我有个KV power MOSFET Design
: 相同的breakdown, 比如1.2kV
: 相同的on-resistance
: 相同的current density
: 但是threshold是0.8V, 而不是传统的3V以上
: 好处是switching loss小,工作频率也可以高一点
: 会不会因为threshold不够高,有什么坏处?
: 多谢各位高手解惑
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g******u
发帖数: 3060 | 14 不知有高手能否教我为什么要有很多low thresold FET的存在？ |
r*********e
发帖数: 281 | 15 多谢指教
至于GaN, 应该可以很快啦.KV的device上MHz肯定没问题.
关于collapse, toshiba和CREE做到大概300V可以collapse free.在往高压走就不容易了
Vt
collapse的问题搞定了吗？
【在 p*******e 的大作中提到】
: 你可以参考一下Baliga的“power semiconductor device”里面的power MOSFET, dV/
: dt capability。如果Vt太小，而且Gate driver的output resistance偏大的话，并且
: 你的Cgd比较大，那么high speed switching的时候，对Cgd的charging and
: discharing current会导致你的power switch关不断（ic*Rg > Vt)。
: 所以，Vt应该大些，但是对于某些器件，Vt太大，可能Ron会受影响。对于你的0.8V Vt
: ，也许可以通过改进gate drive，提供一些negative gate voltage，这样的drive应该
: 可以解决你的问题。
: 如果是GaN的heterojunction power device，switching speed能有多快？current collapse的问题搞定了吗？
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r*********e
发帖数: 281 | 16 我是新手入门
low threshold的FET不是一般会快一点么?
【在 g******u 的大作中提到】
: 不知有高手能否教我为什么要有很多low thresold FET的存在？
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c*******l
发帖数: 4801 | 17 也许正相反？
【在 r*********e 的大作中提到】
: 我是新手入门
: low threshold的FET不是一般会快一点么?
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