t******m
发帖数: 4 | 1 电路好象不是很难,关键是电流的测量,朋友告诉我用LEM的current transducer, 但我
觉得好象精度不够.比如我要测的SiC JFET, 开关时间在几十个纳秒,但是transducer反
应的时间要一个毫秒左右,waveform测出来应该误差很大吧...
本人绝对菜鸟,望达人不吝赐教. | M*******c
发帖数: 4371 | 2 到flea market去买吧. 大概$10一个.
curve tracer | M*******c
发帖数: 4371 | 3 我还是不明白
你说的开关特性(IV?)是什么? 为什么要和开关时间有关系?
【在 t******m 的大作中提到】
: 电路好象不是很难,关键是电流的测量,朋友告诉我用LEM的current transducer, 但我
: 觉得好象精度不够.比如我要测的SiC JFET, 开关时间在几十个纳秒,但是transducer反
: 应的时间要一个毫秒左右,waveform测出来应该误差很大吧...
: 本人绝对菜鸟,望达人不吝赐教.
| c******s
发帖数: 197 | 4 LEM的bandwidth不至于达到1MHz吧，也不想你所说的慢到1ms，为什么不用采样电阻呢？
【在 t******m 的大作中提到】
: 电路好象不是很难,关键是电流的测量,朋友告诉我用LEM的current transducer, 但我
: 觉得好象精度不够.比如我要测的SiC JFET, 开关时间在几十个纳秒,但是transducer反
: 应的时间要一个毫秒左右,waveform测出来应该误差很大吧...
: 本人绝对菜鸟,望达人不吝赐教.
| t******m
发帖数: 4 | 5 sorry, a stupid mistake, it is 1us, not 1ms.
我想测的是SiC JFET bare chip的动态特性，实际就是开关波形（VI turn on/off
waveform)，只是文献上都是只给出简单的电路图，真正用来测电流瞬时变化的器件没
有特别说明我又没有这方面的经验，只能乱搞了。。
呢？
【在 c******s 的大作中提到】
: LEM的bandwidth不至于达到1MHz吧，也不想你所说的慢到1ms，为什么不用采样电阻呢？
| t*f
发帖数: 114 | 6 你去search一下high voltage power MOSFET的测试方法和电路。甚至power BJT的测试
电路。
或者直接在google scholar上search SiC JFET switching。
【在 t******m 的大作中提到】
: sorry, a stupid mistake, it is 1us, not 1ms.
: 我想测的是SiC JFET bare chip的动态特性，实际就是开关波形（VI turn on/off
: waveform)，只是文献上都是只给出简单的电路图，真正用来测电流瞬时变化的器件没
: 有特别说明我又没有这方面的经验，只能乱搞了。。
:
: 呢？
| e***i
发帖数: 58 | 7 你可能需要一个高频的信号发生器和示波器吧？pulse generator, oscilloscope.
curve tracer 一般有pulse的源，但都是微秒的，好像是3 micron sec?或许
300 ns?我不记得了。不然curve tracer应该是便宜又方便。
因为SiC JFET都是作为高频高压开关，不知道功率有什么要求。 | e***i
发帖数: 58 | |
|
