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发帖数: 2145 | 1 发信人: nanometer (断红有字), 信区: NanoST
标 题: 杰尔公司指出：硅基集成电路大限未至
发信站: 瀚海星云 (2002年12月11日12:14:00 星期三), 站内信件
【日经BP社报道】美国杰尔系统公司（Agere Systems, Inc.）日前宣布，该公司研
究人员撰写的有关“硅基IC的极限短期内不会来临”的论文已经刊登于《自然》杂志上
。此前业内曾普遍认为，随着深次微米技术的不断发展，栅极氧化膜厚度一旦突破2nm，
就会丧失绝缘性，因此硅基IC大限将至。
但最近的研究表明：即使进一步减小氧化膜的厚度，仍可以在不引起雪崩式击穿的
前提下继续发展深次微米技术。也就是说，由于只会发生互不关联的缓慢软击穿（Uncor
related Soft Breakdown），因此不会影响到电路的性能。在这篇论文中，解释了这两
种击穿现象的区别。
杰尔公司表示：“尽管仍有需解决的问题，但硅基IC的可靠性丝毫不会受到动摇。
因此，没有必要寻找取代硅的材料”。另外，该公司还计划在2002年12月9日于美国旧金
山召开的“2002年国际电子元件会议（2002 IEEE In |
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