背照式 CMOS 成像传感技术研发领域取得突破性进展，首款背照式 CMOS 成像传感测试芯片一次流片即获得成功 - Military版

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Military版 - 背照式 CMOS 成像传感技术研发领域取得突破性进展，首款背照式 CMOS 成像传感测试芯片一次流片即获得成功

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012年12月20日中国规模最大、技术最先进的集成电路代工厂，今天宣布在背照式
CMOS 成像传感技术研发领域取得突破性进展，首款背照式 CMOS 成像传感测试芯片一
次流片即获得成功，在低照度下同样获得高质量的清晰图像。这标志着中芯国际自主开
发的背照式 CMOS 成像传感芯片全套晶圆工艺核心技术接近成熟，步入产业化阶段，更
好地满足高端智慧移动终端的需要。该技术将于2013年与客户伙伴进行试产。
背照式 CMOS 成像传感芯片工艺技术开发的成功，有助于中芯国际进一步拓展晶圆代工
业务，支持国内外客户500万像素以上高分辨率智能手机用图像传感芯片、以及高性能
视频影像传感芯片产品的开发和生产。背照式传感器比前照式传感器拥有更强的感光能
力，使如今的顶级智能手机在夜晚或室内成像更为明亮、清晰。在该技术步入产业化的
同时，中芯国际也将积极开展基于3D集成电路的下一代成像传感芯片晶圆工艺的前期技
术开发。
"我们很荣幸成为国内首家取得背照式 CMOS 成像传感器技术突破的晶圆代工厂，"中芯
国际首席执行官邱慈云博士表示，"CMOS 成像传感器是我们为移动设备和成像市场客户
所提供的关键增值技术之一。"
"在此基础上，我们的研发团队将大力推进背照式传感器技术的商业化生产，"中芯国际
技术研发资深副总裁李序武博士表示，"这一突破进一步巩固了中芯国际在国内先进技
术领域的领导者地位。"

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