f***y
发帖数: 4447 | 1 2019年的新闻
https://www.eet-china.com/mp/a9909.html
14纳米！北方华创ICP刻蚀设备助力上海ICRD SADP自主工艺研发取得重大突破
2019年11月21日，上海集成电路研发中心有限公司(ICRD)和北方华创科技集团股份有限
公司(北方华创)联合宣布，ICRD采用北方华创NMC612D电感耦合等离子体（ICP）刻蚀机
等国产设备完成了14nm鳍式晶体管自对准双重图形(14nm FinFET SADP)相关工艺的自主
开发，各项工艺指标均已达到量产要求，在集成电路14nm核心工艺技术上取得了重大进
展。
随着集成电路线宽的逐步减小，自对准双重图形技术(Self-aligned Double
Patterning, SADP)成功解决了193nm浸入式光刻与极紫外(EUV)光刻之间的过渡问题，
是目前主流的14nm FinFET制造工艺，也是5nm 自对准四重图形技术(Self-aligned
Quadruple Patterning, SAQP)的基础。SADP技术，即一次光刻完成后，相继使用沉积
和刻蚀等工艺步骤，在模板线条(Core)侧壁上形成间隔物(Spacer)，当去除最初的模板
材料后，用间隔物来定义所需的最终结构，从而实现线条密度的加倍，解决了小尺寸图
形的制备难题。由于14nm FinFET SADP工序制造的复杂性，目前在Fab厂制造过程中均
未有国产设备的应用。
ICRD使用国产集成电路设备进行了核心工艺研发，北方华创NMC 612D ICP刻蚀机作为核
心刻蚀工艺设备，其工艺表现将直接影响鳍式晶体管器件的工艺性能和良率，凭借其优
良的刻蚀形貌控制、均匀性控制、较低刻蚀损伤、较高刻蚀选择比等方面的技术优势，
北方华创的NMC612D ICP刻蚀机为相关工艺的成功开发做出了重大贡献,并为5nm SAQP技
术的自主开发奠定了坚实的基础。
图1 Fin SADP工艺流程示意图
图2 NMC612D 14nm FinFET SADP刻蚀后形貌图
NMC612D 电感耦合等离子体刻蚀机在ICRD 14nm FinFET SADP工艺开发中的成功应用，
是ICRD和北方华创战略合作取得的阶段性重大成果，填补了国产高端集成电路设备在先
进集成电路工艺制程领域14nm FinFET SADP刻蚀工艺应用的空白，证明了国产机台的性
能已达到业界先进水平。 |
t********h
发帖数: 456 | 2 中微半导体有5nm商用ICP刻蚀机，已经用在台积电了
【在 f***y 的大作中提到】
: 2019年的新闻
: https://www.eet-china.com/mp/a9909.html
: 14纳米！北方华创ICP刻蚀设备助力上海ICRD SADP自主工艺研发取得重大突破
: 2019年11月21日，上海集成电路研发中心有限公司(ICRD)和北方华创科技集团股份有限
: 公司(北方华创)联合宣布，ICRD采用北方华创NMC612D电感耦合等离子体（ICP）刻蚀机
: 等国产设备完成了14nm鳍式晶体管自对准双重图形(14nm FinFET SADP)相关工艺的自主
: 开发，各项工艺指标均已达到量产要求，在集成电路14nm核心工艺技术上取得了重大进
: 展。
: 随着集成电路线宽的逐步减小，自对准双重图形技术(Self-aligned Double
: Patterning, SADP)成功解决了193nm浸入式光刻与极紫外(EUV)光刻之间的过渡问题，
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f*******e
发帖数: 2791 | 3 对，中微半导体是国产设备里面最厉害的
: 中微半导体有5nm商用ICP刻蚀机，已经用在台积电了
【在 t********h 的大作中提到】
: 中微半导体有5nm商用ICP刻蚀机，已经用在台积电了
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f***y
发帖数: 4447 | 4 分硅，金属，介质刻蚀机。这个是硅刻蚀机。中微是介质刻蚀机。
【在 t********h 的大作中提到】
: 中微半导体有5nm商用ICP刻蚀机，已经用在台积电了
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