x********8
发帖数: 167 | 1 我读的文章多是如果电荷转移的话，那么荧光必定要减弱或者消失，其原因是长时间分
离的电子和空穴多以非辐射的方式将能量弛豫掉，当然还有因为能量转移的机理而形成
近红外的发射峰。今天看到一篇文章，说是电荷转移导致了新的近红外荧光。我看了看
作者的讨论，但是还是没有读出他们在说什么，或者说根本没有说清楚这个新发光峰的
来源。我没有研究过硫属半导体纳米粒子，好像国内的高明远教授在这方面做了很多工
作。熟悉这个领域的不妨说说话。
Nanorod Heterostructures Showing Photoinduced Charge Separation
Sandeep Kumar, Marcus Jones, Shun S. Lo, Gregory D. Scholes
Small，2007, 3, 1633.
我自己想了一个机理，猜测啊，CdSe是A分子，CdTe是B分子。光激发以后两者都形成
激子，但是随之B分子的电子要跑到A分子导带上去，A分子的空穴要转移到B分子上去，
如此解释了A，B两分子荧光淬灭的现象。最后A分子上的电子能和B分子上的空穴复合发
出新的荧光，是什么因素导致这个复合过程 | c*s
发帖数: 2145 | 2 我没有看到原文，但是根据你所说的，估计是一个所谓“第二类半导体”的结构
这个作者还是很厉害的，发文章也很严谨
所谓第二类半导体，是相对于经典的第一类半导体，也就是窄带半导体core-宽带半导
体shell的结构的，在这种情况下，电子和空穴都受限于core里，而不会转移到溶剂或
者shell里，因此这种结构带来了高效的发光效率。有代表性的是cdse core-zns shell
结构
相对CdSe-CdTe, 被激发以后，Se (阴离子）上的空穴向Te上转移，于是造成了在异质
结界面上电荷的分离。 至于这个复合的途径， 实验前很难预测，而发光的能量，应该
是决定于半导体异质结的导带结构决定的。 作者没有提原因，可能是太简单了吧，对
他来说:)
国内的gao做合成比较多，做水相合称， 火过一整子， 哈哈
【在 x********8 的大作中提到】
: 我读的文章多是如果电荷转移的话，那么荧光必定要减弱或者消失，其原因是长时间分
: 离的电子和空穴多以非辐射的方式将能量弛豫掉，当然还有因为能量转移的机理而形成
: 近红外的发射峰。今天看到一篇文章，说是电荷转移导致了新的近红外荧光。我看了看
: 作者的讨论，但是还是没有读出他们在说什么，或者说根本没有说清楚这个新发光峰的
: 来源。我没有研究过硫属半导体纳米粒子，好像国内的高明远教授在这方面做了很多工
: 作。熟悉这个领域的不妨说说话。
: Nanorod Heterostructures Showing Photoinduced Charge Separation
: Sandeep Kumar, Marcus Jones, Shun S. Lo, Gregory D. Scholes
: Small，2007, 3, 1633.
: 我自己想了一个机理，猜测啊，CdSe是A分子，CdTe是B分子。光激发以后两者都形成
| x********8
发帖数: 167 | 3 没错，文章就是说第二类半导体。等待CdS进一步详解。 |
|
