x********8
发帖数: 167 | 1 原文图片：http://www.sciencenet.cn/blog/user_content.aspx?id=8351
MITBBS上看来研究PV的大侠不少，有位NANOHEN的朋友发表了她的评论，很有意思，贴
过来大家再读一读。
‘基于纳米材料的太阳能电池很难有前途，
半导体纳米材料的优势：1）表面积大，这类如 DSSCs电池，但是效率太低，也许文献
的的效率很高超过10％，但是那是实验室的效率，模块后的效率减半，做成固体电池后
效率再减半，这样就很难有市场了，大家想想，DSSCs的成本那么低，寿命还行，但是
做了那么多年，为什么市场上面还没出现就清楚了。
2）制备电池成本低，（可旋涂或打印成膜），这几乎是纳米太阳能电池骗funding的法
宝。但是想想，此路不通，要想旋涂或打印必需用有机配体来capping纳米粒子，这样
纳米粒子才能溶解，但是旋涂或打印成膜后，如何除去有机配体，是一个大问题，不比
TiO2，一般的窄带隙的半导体，在空气中容易氧化，但是在氮气下烧的话，有机配体变
成C，这样膜的导电性很差，效率极低。这类如alivisatos他们做的，实验室效率都低
的惨不忍睹。关 |
l******u
发帖数: 2314 | 2 我想Nanohen提到的主要不是价格问题，而是可行性问题 - 包括效率和寿命。
可是说真的，有机染料是可以harvest light，但是光电转换，if not nano, what
else？说到"骗"funding，做review的人都是领域里的，当然是觉得有希望（也许是N年
以后）才会批 - 总是要有人做这些基础研究吧。 |
h****t
发帖数: 57 | 3 一直有个问题哈
要是哪天石油煤都挖完了
有机高分子还能low-cost么？
【在 x********8 的大作中提到】
: 原文图片：http://www.sciencenet.cn/blog/user_content.aspx?id=8351
: MITBBS上看来研究PV的大侠不少，有位NANOHEN的朋友发表了她的评论，很有意思，贴
: 过来大家再读一读。
: ‘基于纳米材料的太阳能电池很难有前途，
: 半导体纳米材料的优势：1）表面积大，这类如 DSSCs电池，但是效率太低，也许文献
: 的的效率很高超过10％，但是那是实验室的效率，模块后的效率减半，做成固体电池后
: 效率再减半，这样就很难有市场了，大家想想，DSSCs的成本那么低，寿命还行，但是
: 做了那么多年，为什么市场上面还没出现就清楚了。
: 2）制备电池成本低，（可旋涂或打印成膜），这几乎是纳米太阳能电池骗funding的法
: 宝。但是想想，此路不通，要想旋涂或打印必需用有机配体来capping纳米粒子，这样
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n******e
发帖数: 6 | 4 “3）multi-excitons, 尽管最近研究很多，但是要产生多激子，要求吸的光子的能量
大于
带隙的三倍以上，这样要吸收全谱的太阳光，半导体的带隙要求就很窄，这样材料的稳
定性，器件的寿命就难保证。”
目前研究multi-excitons吸光的材料主要是PbSe,Ge,Si nanoparticle等等，为什么窄
带隙半导体稳定性就一定会差呢？从Nozik的理论计算到Martin green的实验，结果好
像还不错。 |
x********8
发帖数: 167 | 5 Martin green 的实验文章是什么？
我在看Rrandy J. Elligson的那篇文章 Nano letters 2005, 5, 865. |
S*****n
发帖数: 6055 | 6 秸秆
【在 h****t 的大作中提到】
: 一直有个问题哈
: 要是哪天石油煤都挖完了
: 有机高分子还能low-cost么？
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n*****n
发帖数: 6 | 7 对于宽带隙的Si等半导体，多激子没什么用，例如纳米si，带隙1.0eV左右，
只有吸收能量大于3.0eV的光，才能才生多个激子，这样应用的意义已经不大。
其他带隙小的PbTe,PbSe等，在太阳能里面稳定性不好，容易光氧化。
只要把不同带隙的半导体，例如，TiO2，ZnS，CdSe，Si，PbSe,PbTe
等做一个激光喇曼就知道他们的稳定性如何了。
【在 n******e 的大作中提到】
: “3）multi-excitons, 尽管最近研究很多，但是要产生多激子，要求吸的光子的能量
: 大于
: 带隙的三倍以上，这样要吸收全谱的太阳光，半导体的带隙要求就很窄，这样材料的稳
: 定性，器件的寿命就难保证。”
: 目前研究multi-excitons吸光的材料主要是PbSe,Ge,Si nanoparticle等等，为什么窄
: 带隙半导体稳定性就一定会差呢？从Nozik的理论计算到Martin green的实验，结果好
: 像还不错。
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n******e
发帖数: 6 | 8 前几天在斯坦福的GCEP（Global Climate and Energy Project）年会上又看到Martin
，他今年给了个大会报告，还带来了几个poster，主要还是做“Nanostructured
Nanostructured Silicon Silicon-Based Tandem Solar Cells Based Tandem Solar
Cells”，用一些Si QD来吸光。
【在 x********8 的大作中提到】
: Martin green 的实验文章是什么？
: 我在看Rrandy J. Elligson的那篇文章 Nano letters 2005, 5, 865.
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x********8
发帖数: 167 | |
q********o
发帖数: 63 | |
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q********o
发帖数: 63 | 11 2-6族半导体中,CdSe和CdTe QD的光稳定性确实太差了.
光伏的应用不清楚,但做光显示的话,其寿命相对于应用的指标差的太远了 |
x******o
发帖数: 6 | 12 为什么窄带的半导体稳定性差呀？
我以为是否被氧化取决于CB和VB的绝对高度，而不是相对的高度 |
c*s
发帖数: 2145 | 13 窄带的需要很少能量，比如可见光，就可以激发，所以不稳定把
当然是相对高度了
cb就相当于自由电子了
【在 x******o 的大作中提到】
: 为什么窄带的半导体稳定性差呀？
: 我以为是否被氧化取决于CB和VB的绝对高度，而不是相对的高度
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e***r
发帖数: 37 | 14 可见光都不能激发，那还有什么用处？呵呵
【在 c*s 的大作中提到】
: 窄带的需要很少能量，比如可见光，就可以激发，所以不稳定把
: 当然是相对高度了
: cb就相当于自由电子了
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c*s
发帖数: 2145 | 15 嗯，我脑袋短路了，没考虑这是光伏电池
【在 e***r 的大作中提到】
: 可见光都不能激发，那还有什么用处？呵呵
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e***r
发帖数: 37 | 16 今天刚听了一个讲multiexcitation的报告，主要就是讲PbSe.
这个光氧化是什么问题，能不能具体讲一下，如果表面镀一层
透明的膜是不是能解决氧化的问题？还有InAs为什么不能做solar
cell的材料？
【在 n*****n 的大作中提到】
: 对于宽带隙的Si等半导体，多激子没什么用，例如纳米si，带隙1.0eV左右，
: 只有吸收能量大于3.0eV的光，才能才生多个激子，这样应用的意义已经不大。
: 其他带隙小的PbTe,PbSe等，在太阳能里面稳定性不好，容易光氧化。
: 只要把不同带隙的半导体，例如，TiO2，ZnS，CdSe，Si，PbSe,PbTe
: 等做一个激光喇曼就知道他们的稳定性如何了。
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x********8
发帖数: 167 | 17 光氧化就是单线态养把PbSe变成PbO了，电子结构完全变化，也没有multiexcitons。
InAs应该有人做，不过solar cell研究主要考虑成本和工艺两个方面，估计这东西做起
来比较贵，具体他的物理性质如何，还得找找相关的工作看看。 |
