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d**********t
发帖数: 82 | 1 不好意思，重复发帖了，着急ing。
忙乎在单纳米线CdSe器件组装上有好几个月了，还是没有很好的器件。这种~10nm 的纳
米线包着一层TOPO，别人提供的样品，我不懂合成。主要是光电流太小，小于5 pA（2V
电压，显微镜最大光强），大部分是500 fA。到了激光下，lock-in基本上测不出什么
电流了。大家有什么好主意啊，主要考虑的怎样去掉电极接触部分的TOPO。 电极金属
是Al，不好用In啊，我用FIB也做过了，金属只能固定在Pt（Pt只不是欧姆接触）。不
知道哪里出了问题，我是实验光谱出身的，结果这个课题需要先做器件，大家帮帮忙啊
！ | m*********s
发帖数: 1188 | 2 可以考虑用些别的导电的，或者短链的ligands交换下。
简单点可以试试高搞点ligands, 比如3-mercaptoproponic acid之类的，搞个溶液，电
极在里头泡一泡，交换一下。（浓度太高也不行，泡时间太长也不行） | d**********t
发帖数: 82 | 3 多谢，其实我们之前也试过用EDT置换。按理说，短链的ligand应该改进导电性，可是
效果不是很明显，而且降低了荧光性。不知道是不是litho的技术不过关还是样品本身
的问题，文献只有屈指可数的几篇，CVD的样品稍微多点。这边有人说这个项目基本就
是死路，哎，试了好久了。 |
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