l**********e
发帖数: 138 | 1 还是说版图上画的所有的尺寸都必须是180nm的整数倍？谢谢。 |
e********2
发帖数: 61 | 2 当然可以啊，那个pitch指的是极限或者design主要用的尺寸。 |
l**********e
发帖数: 138 | 3 谢谢eggegg1802！可否再请教：既然180nm可以做出200nm的器件来，那么精度是怎么确
定的？比如，200.5nm，200.05nm,能否做出来？工艺的resolution和feature size是什
么样的关系？谢谢！
【在 e********2 的大作中提到】
: 当然可以啊，那个pitch指的是极限或者design主要用的尺寸。
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s*****3
发帖数: 1673 | 4 0.18um 是指的可以print最小的CD (critical dimension). 0.2um应该是可以print出
来的.
至于你说的，0.2005um, 既然你都关心到 nm level了，那肯定是做不出那么精确的。
layout 不是画了多精确就可以print出来的，还与photoresist, stepper等有关。而且
mask一般也是用e-beam来写，也是有limit的。你layout上画了0.2005um实际做出来的
可能只有0.19um.
一般还有一个关心的参数是 delta CD. 看你实际print的dimension和你layout上画的
差别有多少。
还有一个问题是能否repeat,你即使能做出来0.185um，但是随便一个条件shift一下你
就得不到之前的结果了。
My 2 cents.
【在 l**********e 的大作中提到】
: 谢谢eggegg1802！可否再请教：既然180nm可以做出200nm的器件来，那么精度是怎么确
: 定的？比如，200.5nm，200.05nm,能否做出来？工艺的resolution和feature size是什
: 么样的关系？谢谢！
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l**********e
发帖数: 138 | 5 多谢小松子！抱歉，0.2005um 只是举个例子，还在用挺落后的工艺，远没有关心到 nm
level 呢 ：）你提到delta CD，这个数字在foundry给的design rule里面能找到吗？
180nm的工艺delta CD一般是多少？
我想搞清楚的是，在给定工艺最小尺寸下，比如说180nm， 做设计的时候，到底允许画
到多么精细是工艺可以做出来的，185nm? 190nm?做电路设计调试L，W等参数时，参数
可以细到多少？
【在 s*****3 的大作中提到】
: 0.18um 是指的可以print最小的CD (critical dimension). 0.2um应该是可以print出
: 来的.
: 至于你说的，0.2005um, 既然你都关心到 nm level了，那肯定是做不出那么精确的。
: layout 不是画了多精确就可以print出来的，还与photoresist, stepper等有关。而且
: mask一般也是用e-beam来写，也是有limit的。你layout上画了0.2005um实际做出来的
: 可能只有0.19um.
: 一般还有一个关心的参数是 delta CD. 看你实际print的dimension和你layout上画的
: 差别有多少。
: 还有一个问题是能否repeat,你即使能做出来0.185um，但是随便一个条件shift一下你
: 就得不到之前的结果了。
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c*********l
发帖数: 1065 | |
c*********l
发帖数: 1065 | 7 电路设计从来不追求绝对误差，也无法保证0.2005um这种绝对精度，
都是通过matching layout来控制相对误差
找比较有经验的版图师画LW，0.1%误差都可以的
nm
【在 l**********e 的大作中提到】
: 多谢小松子！抱歉，0.2005um 只是举个例子，还在用挺落后的工艺，远没有关心到 nm
: level 呢 ：）你提到delta CD，这个数字在foundry给的design rule里面能找到吗？
: 180nm的工艺delta CD一般是多少？
: 我想搞清楚的是，在给定工艺最小尺寸下，比如说180nm， 做设计的时候，到底允许画
: 到多么精细是工艺可以做出来的，185nm? 190nm?做电路设计调试L，W等参数时，参数
: 可以细到多少？
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s*****3
发帖数: 1673 | 8 design rule里应该没有Dealta CD。因为这个参数和很多因素有关，stepper,
photoresist, topography之类的。
没用过CD是0.18um的stepper，不过我猜 控制在同一位应该没问题吧，比如 0.2xum, 0
.3xum 再精确估计就有困难了。我从process的角度来考虑。你画layout的时候需要多
少就画多少，一般的来说你不需要太精确，因为随便一个process variation你的尺寸
就不能保证了，而且wafer process的时候也有non-uniformity.
至于circuit level的不是太了解，不过一般foundry都有一种叫pdk的东西，你可以查
一下。这方面的东西其他人可以补充。
nm
【在 l**********e 的大作中提到】
: 多谢小松子！抱歉，0.2005um 只是举个例子，还在用挺落后的工艺，远没有关心到 nm
: level 呢 ：）你提到delta CD，这个数字在foundry给的design rule里面能找到吗？
: 180nm的工艺delta CD一般是多少？
: 我想搞清楚的是，在给定工艺最小尺寸下，比如说180nm， 做设计的时候，到底允许画
: 到多么精细是工艺可以做出来的，185nm? 190nm?做电路设计调试L，W等参数时，参数
: 可以细到多少？
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s***d
发帖数: 15421 | 9 你说的问题，pdk都会限制，只有某些尺寸是可以用的。
nm
【在 l**********e 的大作中提到】
: 多谢小松子！抱歉，0.2005um 只是举个例子，还在用挺落后的工艺，远没有关心到 nm
: level 呢 ：）你提到delta CD，这个数字在foundry给的design rule里面能找到吗？
: 180nm的工艺delta CD一般是多少？
: 我想搞清楚的是，在给定工艺最小尺寸下，比如说180nm， 做设计的时候，到底允许画
: 到多么精细是工艺可以做出来的，185nm? 190nm?做电路设计调试L，W等参数时，参数
: 可以细到多少？
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l**********e
发帖数: 138 | |
